Справочник MOSFET. IRFS250A

 

IRFS250A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFS250A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 95 nC
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: TO3PF
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS250A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:256K  1
 irfs250a.pdf pdf_icon

IRFS250A

IRFS250AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVDSS = 200 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.085 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 21.3 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-3PF Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 200V Low RDS(ON) : 0.071 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymb

 7.1. Size:285K  1
 irfs250 irfs251.pdf pdf_icon

IRFS250A

 7.2. Size:655K  fairchild semi
 irfs250b.pdf pdf_icon

IRFS250A

November 2001IRFS250B200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 21.3A, 200V, RDS(on) = 0.085 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 95 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 75 pF)This advanced technology has been especially tailored to Fas

 8.1. Size:207K  1
 irfs254a.pdf pdf_icon

IRFS250A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFS233 , IRFS240 , IRFS240A , IRFS241 , IRFS242 , IRFS243 , IRFS244A , IRFS250 , IRFP064N , IRFS251 , IRFS252 , IRFS253 , IRFS254A , IRFS330 , IRFS331 , IRFS332 , IRFS333 .

History: SFR9034TF | BUK7208-40B | IRFS254

 

 
Back to Top

 


 
.