Справочник MOSFET. SI5480DU

 

SI5480DU MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI5480DU
   Маркировка: AD*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
   trⓘ - Время нарастания: 140 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK

 Аналог (замена) для SI5480DU

 

 

SI5480DU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  vishay
 si5480du.pdf

SI5480DU SI5480DU

Si5480DUVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.016 at VGS = 10 V 12 New Thermally Enhanced PowerPAKRoHS30 11 nC0.022 at VGS = 4.5 V 12 ChipFET PackageCOMPLIANT- Small Footprint Area- Low On-ResistancePowerPAK ChipFET Single- Thin 0.8 mm

 9.1. Size:167K  vishay
 si5486du.pdf

SI5480DU SI5480DU

Si5486DUVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.015 at VGS = 4.5 V New Thermally Enhanced PowerPAK12RoHSChipFET PackageCOMPLIANT0.017 at VGS = 2.5 V 20 21 nC12- Small Footprint Area0.021 at VGS = 1.8 V - Low On-Resistance12- Thin 0.8 m

 9.2. Size:150K  vishay
 si5481du.pdf

SI5480DU SI5480DU

New ProductSi5481DUVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.022 at VGS = - 4.5 V - 12a New thermally Enhanced PowerPAKRoHSCOMPLIANTChipFET Package- 20 0.029 at VGS = - 2.5 V - 12a 20 nC- Small Footprint Area0.041 at VGS = - 1.8 V - 12a- Low On-R

 9.3. Size:166K  vishay
 si5485du.pdf

SI5480DU SI5480DU

Si5485DUVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A) TrenchFET Power MOSFET0.025 at VGS = - 4.5 V - 12a New Thermally Enhanced PowerPAKRoHS14 nC- 20COMPLIANTChipFET Package0.042 at VGS = - 2.5 V - 12a- Small Footprint Area- Low On-Resistance- Thin 0.8 mm profilePow

 9.4. Size:144K  vishay
 si5482du.pdf

SI5480DU SI5480DU

Si5482DUVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.015 at VGS = 10 V 12 New Thermally Enhanced PowerPAKRoHS30 16 nC0.0175 at VGS = 4.5 V 12 COMPLIANTChipFET Package- Small Footprint Area- Low On-ResistancePowerPAK ChipFET Single- Thin 0.8 m

 9.5. Size:186K  vishay
 si5484du.pdf

SI5480DU SI5480DU

Si5484DUVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.016 at VGS = 4.5 V New Thermally Enhanced PowerPAK12RoHS20 16.5 nCChipFET PackageCOMPLIANT0.021 at VGS = 2.5 V 12- Small Footprint Area- Low On-Resistance- Thin 0.8 mm ProfilePowerPAK ChipF

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top