SI5480DU datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI5480DU  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI5480DU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI5480DU даташит

 ..1. Size:166K  vishay
 si5480du.pdf pdf_icon

SI5480DU

Si5480DU Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.016 at VGS = 10 V 12 New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS 30 11 nC 0.022 at VGS = 4.5 V 12 ChipFET Package COMPLIANT - Small Footprint Area - Low On-Resistance PowerPAK ChipFET Single - Thin 0.8 mm

 9.1. Size:167K  vishay
 si5486du.pdf pdf_icon

SI5480DU

Si5486DU Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.015 at VGS = 4.5 V New Thermally Enhanced PowerPAK 12 RoHS ChipFET Package COMPLIANT 0.017 at VGS = 2.5 V 20 21 nC 12 - Small Footprint Area 0.021 at VGS = 1.8 V - Low On-Resistance 12 - Thin 0.8 m

 9.2. Size:150K  vishay
 si5481du.pdf pdf_icon

SI5480DU

New Product Si5481DU Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.022 at VGS = - 4.5 V - 12a New thermally Enhanced PowerPAK RoHS COMPLIANT ChipFET Package - 20 0.029 at VGS = - 2.5 V - 12a 20 nC - Small Footprint Area 0.041 at VGS = - 1.8 V - 12a - Low On-R

 9.3. Size:166K  vishay
 si5485du.pdf pdf_icon

SI5480DU

Si5485DU Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) ID (A) TrenchFET Power MOSFET 0.025 at VGS = - 4.5 V - 12a New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS 14 nC - 20 COMPLIANT ChipFET Package 0.042 at VGS = - 2.5 V - 12a - Small Footprint Area - Low On-Resistance - Thin 0.8 mm profile Pow

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SI5463EDC, SI5468DC, SI5471DC, SI5475BDC, SI5475DC, SI5475DDC, SI5476DU, SI5479DU, IRF640, SI5481DU, SI5482DU, SI5484DU, SI5485DU, SI5486DU, SI5499DC, SI5504BDC, SI5513CDC