SI5504BDC datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SI5504BDC 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
Тип корпуса: 1206-8
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для SI5504BDC
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SI5504BDC даташит
si5504bdc.pdf
Si5504BDC www.vishay.com Vishay Siliconix N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETs VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (TYP.) Material categorization 0.065 at VGS = 10 V 4 a For definitions of compliance please see N-Channel 30 2 nC 0.100 at VGS = 4.5 V 4 a www.vishay.com/doc?99912 0.140 at VGS = -10 V -3.7 P-Channel -30 2.2 nC A
si5504bdc si5904bd.pdf
Si5504BDC Vishay Siliconix N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ) Definition 0.065 at VGS = 10 V 4a TrenchFET Power MOSFETs N-Channel 30 2 nC 0.100 at VGS = 4.5 V 4a Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.140 at VGS = - 10 V - 3.7 P-Channel - 30 2.2 nC APPLICA
si5504dc.pdf
Si5504DC Vishay Siliconix Complementary 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.085 at VGS = 10 V 3.9 TrenchFET Power MOSFETs N-Channel 30 0.143 at VGS = 4.5 V 3.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.165 at VGS = - 10 V 2.8 P-Channel - 30 0.290 at VGS = - 4.5
si5504dc.pdf
SMD Type MOSFET Complementary power Trench MOSFET SI5504DC (KI5504DC) 1206-8 chipFET (Chip-8) Features N-Channel VDS=30V ID= 3.9A RDS(ON) 85m (VGS = 10V) RDS(ON) 143m (VGS = 4.5 V) P-Channel VDS=-30V ID=- 2.8A RDS(ON) 165m (VGS =-10V) RDS(ON) 290m (VGS =-4.5V) D1 S2 G2 G1 S1 D2 N-Channel MOSFET P-Channel MOSFET A
Другие IGBT... SI5479DU, SI5480DU, SI5481DU, SI5482DU, SI5484DU, SI5485DU, SI5486DU, SI5499DC, IRFB4227, SI5513CDC, SI5515CDC, SI5517DU, SI5853, SI5853CDC, SI5853DDC, SI5855CDC, SI5857DU
History: AP0403GH | IRF7503 | MSF20N50 | SI5481DU | AP1605 | MSW16N50 | WSR25N20
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
ksc1815 | bu406 | j201 datasheet | 2n5088 datasheet | irfp064n | tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g





