Справочник MOSFET. SI5853DDC

 

SI5853DDC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI5853DDC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
   Тип корпуса: 1206-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI5853DDC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:190K  vishay
 si5853ddc.pdf pdf_icon

SI5853DDC

Si5853DDCVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.105 at VGS = - 4.5 V - 4a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET- 20 0.143 at VGS = - 2.5 V - 3.8 4.7 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.188 at VGS = - 1.8 V

 6.1. Size:189K  vishay
 si5853dd.pdf pdf_icon

SI5853DDC

Si5853DDCVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.105 at VGS = - 4.5 V - 4a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET- 20 0.143 at VGS = - 2.5 V - 3.8 4.7 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.188 at VGS = - 1.8 V

 7.1. Size:172K  vishay
 si5853dc.pdf pdf_icon

SI5853DDC

Si5853DCVishay SiliconixP-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.110 at VGS = - 4.5 V - 3.6 LITTLE FOOT Plus0.160 at VGS = - 2.5 V - 20 - 3.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.240 at VGS = - 1.8 V - 2.4SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY

 8.1. Size:254K  vishay
 si5853.pdf pdf_icon

SI5853DDC

Shen zhen TuoFeng Semiconductor Techonlogy co., LTDSI5853P-Channel Enhancement Mode MOSFET with Schottky DiodeFEATUREAPPLICATIONS MOSFET Battery Powered System -20V/-3.5A, RDS(ON) 110m @VGS = -4.5V Notebook Power Management -20V/-2.4A, RDS(ON) 160m@VGS = -2.5V Cell Phone SCHOTTKY VKA = 20V, VF=0.4V(Typ.)@ IF = 0.5A Full RoHS compliance

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2SK3148 | WMJ38N60C2 | RJK1525DPE | IRFBA22N50A | AO6804A | GSM4510S | IXTH80N20L

 

 
Back to Top

 


 
.