SI5853DDC datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI5853DDC  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm

Тип корпуса: 1206-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI5853DDC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI5853DDC даташит

 ..1. Size:190K  vishay
si5853ddc.pdfpdf_icon

SI5853DDC

Si5853DDC Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.105 at VGS = - 4.5 V - 4a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET - 20 0.143 at VGS = - 2.5 V - 3.8 4.7 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.188 at VGS = - 1.8 V

 6.1. Size:189K  vishay
si5853dd.pdfpdf_icon

SI5853DDC

Si5853DDC Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.105 at VGS = - 4.5 V - 4a LITTLE FOOT Plus Schottky Power MOSFET - 20 0.143 at VGS = - 2.5 V - 3.8 4.7 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.188 at VGS = - 1.8 V

 7.1. Size:172K  vishay
si5853dc.pdfpdf_icon

SI5853DDC

Si5853DC Vishay Siliconix P-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.110 at VGS = - 4.5 V - 3.6 LITTLE FOOT Plus 0.160 at VGS = - 2.5 V - 20 - 3.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.240 at VGS = - 1.8 V - 2.4 SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY

 8.1. Size:254K  vishay
si5853.pdfpdf_icon

SI5853DDC

Shen zhen TuoFeng Semiconductor Techonlogy co., LTD SI5853 P-Channel Enhancement Mode MOSFET with Schottky Diode FEATURE APPLICATIONS MOSFET Battery Powered System -20V/-3.5A, RDS(ON) 110m @VGS = -4.5V Notebook Power Management -20V/-2.4A, RDS(ON) 160m @VGS = -2.5V Cell Phone SCHOTTKY VKA = 20V, VF=0.4V(Typ.)@ IF = 0.5A Full RoHS compliance

Другие IGBT... SI5486DU, SI5499DC, SI5504BDC, SI5513CDC, SI5515CDC, SI5517DU, SI5853, SI5853CDC, P55NF06, SI5855CDC, SI5857DU, SI5858DU, SI5902BDC, SI5904DC, SI5906DU, SI5908DC, SI5913DC