SI5855CDC datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI5855CDC  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.144 Ohm

Тип корпуса: 1206-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI5855CDC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI5855CDC даташит

 ..1. Size:193K  vishay
si5855cdc.pdfpdf_icon

SI5855CDC

Si5855CDC Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition LITTLE FOOT Plus Power MOSFET 0.144 at VGS = - 4.5 V - 3.7 Ultra Low VF Schottky 0.180 at VGS = - 2.5 V - 3.3 4.1 nC - 20 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

 8.1. Size:175K  vishay
si5855dc.pdfpdf_icon

SI5855CDC

Si5855DC Vishay Siliconix P-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.110 at VGS = - 4.5 V - 3.6 TrenchFET Power MOSFETs 0.160 at VGS = - 2.5 V - 20 - 3.0 Ultra Low Vf Schottky 0.240 at VGS = - 1.8 V - 2.4 Si5853DC Pin Compatible C

 9.1. Size:154K  vishay
si5857du.pdfpdf_icon

SI5855CDC

Si5857DU Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.058 at VGS = - 4.5 V 6 LITTLE FOOT Plus Power MOSFET - 20 5.5 nC 0.100 at VGS = - 2.5 V 6 New Thermally Enhanced PowerPAK ChipFET Package SCHOTTKY PRODUCT S

 9.2. Size:172K  vishay
si5853dc.pdfpdf_icon

SI5855CDC

Si5853DC Vishay Siliconix P-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.110 at VGS = - 4.5 V - 3.6 LITTLE FOOT Plus 0.160 at VGS = - 2.5 V - 20 - 3.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.240 at VGS = - 1.8 V - 2.4 SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY

Другие IGBT... SI5499DC, SI5504BDC, SI5513CDC, SI5515CDC, SI5517DU, SI5853, SI5853CDC, SI5853DDC, 8205A, SI5857DU, SI5858DU, SI5902BDC, SI5904DC, SI5906DU, SI5908DC, SI5913DC, SI5933CDC