SI5858DU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SI5858DU
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK
Аналог (замена) для SI5858DU
SI5858DU Datasheet (PDF)
si5858du.pdf

Si5858DUVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.039 at VGS = 4.5 V 6 LITTLE FOOT Plus Power MOSFET0.045 at VGS = 2.5 V 20 6 6 nC New Thermally Enhanced PowerPAK0.055 at VGS = 1.8 V ChipFET Package6- Sm
si5857du.pdf

Si5857DUVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.058 at VGS = - 4.5 V 6 LITTLE FOOT Plus Power MOSFET- 20 5.5 nC0.100 at VGS = - 2.5 V 6 New Thermally Enhanced PowerPAK ChipFET PackageSCHOTTKY PRODUCT S
si5853dc.pdf

Si5853DCVishay SiliconixP-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.110 at VGS = - 4.5 V - 3.6 LITTLE FOOT Plus0.160 at VGS = - 2.5 V - 20 - 3.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.240 at VGS = - 1.8 V - 2.4SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY
si5855dc.pdf

Si5855DCVishay SiliconixP-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.110 at VGS = - 4.5 V - 3.6 TrenchFET Power MOSFETs0.160 at VGS = - 2.5 V - 20 - 3.0 Ultra Low Vf Schottky0.240 at VGS = - 1.8 V - 2.4 Si5853DC Pin Compatible C
Другие MOSFET... SI5513CDC , SI5515CDC , SI5517DU , SI5853 , SI5853CDC , SI5853DDC , SI5855CDC , SI5857DU , AON7408 , SI5902BDC , SI5904DC , SI5906DU , SI5908DC , SI5913DC , SI5933CDC , SI5935CDC , SI5936DU .
History: SSP4N80 | NP160N04TUG | PSMN4R8-100BSE | WMP11N70SR | NDT5N70P | SIS412DN | SNN3530BNL
History: SSP4N80 | NP160N04TUG | PSMN4R8-100BSE | WMP11N70SR | NDT5N70P | SIS412DN | SNN3530BNL



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
21270 transistor | k3569 | irf640 datasheet | c945 transistor equivalent | irfz44 datasheet | tip3055 transistor | irf530 datasheet | 2sc2625