Справочник MOSFET. SI5906DU

 

SI5906DU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI5906DU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK
 

 Аналог (замена) для SI5906DU

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI5906DU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:159K  vishay
si5906du.pdfpdf_icon

SI5906DU

New ProductSi5906DUVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.031 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET630 8 nC New Thermally Enhanced PowerPAK0.040 at VGS = 4.5 V 6ChipFET Package- Small Footprint Area- Low On-Resistance-

 9.1. Size:112K  vishay
si5902dc.pdfpdf_icon

SI5906DU

Si5902DCVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.085 at VGS = 10 V 3.930 TrenchFET Power MOSFETs0.143 at VGS = 4.5 V 3.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC1206-8 ChipFETD1 D21S1D1 G1D1 S2G1 G2D2 G2Marking CodeD2

 9.2. Size:223K  vishay
si5904dc.pdfpdf_icon

SI5906DU

Si5904DCVishay SiliconixDual N-Channel 2.5 V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.075 at VGS = 4.5 V 4.220 TrenchFET Power MOSFET: 2.5 V Rated0.134 at VGS = 2.5 V 3.1 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC1206-8 ChipFET1D1 D2S1D1 G1D1 S2D2 G2Marking Code

 9.3. Size:113K  vishay
si5905bd.pdfpdf_icon

SI5906DU

Si5905BDCVishay SiliconixDual P-Channel 8 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.080 at VGS = - 4.5 V - 4a TrenchFET Power MOSFETs- 8 0.117 at VGS = - 2.5 V - 4a 4 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.170 at VGS = - 1.8 V - 3.5APPLICATIONS Load Switch f

Другие MOSFET... SI5853 , SI5853CDC , SI5853DDC , SI5855CDC , SI5857DU , SI5858DU , SI5902BDC , SI5904DC , 2N7000 , SI5908DC , SI5913DC , SI5933CDC , SI5935CDC , SI5936DU , SI5944DU , SI5980DU , SI5997DU .

History: NCE20ND15Q | WMO60N02T1 | WMJ12N120D1

 

 
Back to Top

 


 
.