SI5906DU datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI5906DU  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI5906DU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI5906DU даташит

 ..1. Size:159K  vishay
 si5906du.pdf pdf_icon

SI5906DU

New Product Si5906DU Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.031 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 6 30 8 nC New Thermally Enhanced PowerPAK 0.040 at VGS = 4.5 V 6 ChipFET Package - Small Footprint Area - Low On-Resistance -

 9.1. Size:112K  vishay
 si5902dc.pdf pdf_icon

SI5906DU

Si5902DC Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.085 at VGS = 10 V 3.9 30 TrenchFET Power MOSFETs 0.143 at VGS = 4.5 V 3.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 1206-8 ChipFET D1 D2 1 S1 D1 G1 D1 S2 G1 G2 D2 G2 Marking Code D2

 9.2. Size:223K  vishay
 si5904dc.pdf pdf_icon

SI5906DU

Si5904DC Vishay Siliconix Dual N-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.075 at VGS = 4.5 V 4.2 20 TrenchFET Power MOSFET 2.5 V Rated 0.134 at VGS = 2.5 V 3.1 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 1206-8 ChipFET 1 D1 D2 S1 D1 G1 D1 S2 D2 G2 Marking Code

 9.3. Size:113K  vishay
 si5905bd.pdf pdf_icon

SI5906DU

Si5905BDC Vishay Siliconix Dual P-Channel 8 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.080 at VGS = - 4.5 V - 4a TrenchFET Power MOSFETs - 8 0.117 at VGS = - 2.5 V - 4a 4 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.170 at VGS = - 1.8 V - 3.5 APPLICATIONS Load Switch f

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SI5853, SI5853CDC, SI5853DDC, SI5855CDC, SI5857DU, SI5858DU, SI5902BDC, SI5904DC, AON7408, SI5908DC, SI5913DC, SI5933CDC, SI5935CDC, SI5936DU, SI5944DU, SI5980DU, SI5997DU