IRFS252. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFS252

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для IRFS252

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS252 даташит

 8.1. Size:207K  1
 irfs254a.pdf pdf_icon

IRFS252

 8.2. Size:256K  1
 irfs250a.pdf pdf_icon

IRFS252

IRFS250A Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 200 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.085 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 21.3 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3PF Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 200V Low RDS(ON) 0.071 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symb

 8.3. Size:285K  1
 irfs250 irfs251.pdf pdf_icon

IRFS252

 8.4. Size:648K  1
 irfs254b.pdf pdf_icon

IRFS252

November 2001 IRFS254B 250V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 16A, 250V, RDS(on) = 0.14 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 95 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 60 pF) This advanced technology has been especially tailored to Fast s

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFS240A, IRFS241, IRFS242, IRFS243, IRFS244A, IRFS250, IRFS250A, IRFS251, MMIS60R580P, IRFS253, IRFS254A, IRFS330, IRFS331, IRFS332, IRFS333, IRFS340, IRFS340A