SI7102DN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SI7102DN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 125 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1290 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-1212-8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SI7102DN Datasheet (PDF)
si7102dn.pdf

Si7102DNVishay SiliconixN-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)e Qg (Typ.)Available0.0038 at VGS = 4.5 V 35 TrenchFET Power MOSFET12 41 nC0.0047 at VGS = 2.5 V 35 Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Small Size and Low 1.07 mmProfile 100 % Rg TestedPo
si7100dn.pdf

Si7100DNVishay SiliconixN-Channel 8-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.0035 at VGS = 4.5 V 35COMPLIANT Low Thermal Resistance PowerPAK Package8 40 nC0.0045 at VGS = 2.5 V 35with Small Size and Low 1.07 mm Profile 100 % Rg TestedPowerPAK 12
si7107dn.pdf

Si7107DNVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.0108 at VGS = - 4.5 V - 15.3 TrenchFET Power MOSFET: 1.8 V Rated0.015 at VGS = - 2.5 V - 20 - 13.0 Ultra Low On-Resistance for Increased 0.020 at VGS = - 1.8 V Battery Life- 11.2 New PowerPAK P
si7101dn.pdf

New ProductSi7101DNVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100% Rg and UIS Tested Material categorization:0.0072 at VGS = - 10 V - 35d- 30 32 nC For definitions of compliance please see0.0130 at VGS = - 4.5 V - 35dwww.vishay.com/doc?99912PowerPAK 1212-8APPL
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: FHF18N50A | 2SK2424 | 2SK4108 | CM20N50P | P0908ATF | JCS2N60MB | AP9997GP-HF
History: FHF18N50A | 2SK2424 | 2SK4108 | CM20N50P | P0908ATF | JCS2N60MB | AP9997GP-HF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
a1013 | 2sb554 | 2sd2560 | 2sc2078 transistor | bc558 datasheet | p75nf75 mosfet | ao4407a | mpsa06 datasheet