Справочник MOSFET. SI7102DN

 

SI7102DN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI7102DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 125 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1290 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-1212-8
 

 Аналог (замена) для SI7102DN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7102DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:578K  vishay
si7102dn.pdfpdf_icon

SI7102DN

Si7102DNVishay SiliconixN-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)e Qg (Typ.)Available0.0038 at VGS = 4.5 V 35 TrenchFET Power MOSFET12 41 nC0.0047 at VGS = 2.5 V 35 Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Small Size and Low 1.07 mmProfile 100 % Rg TestedPo

 9.1. Size:547K  vishay
si7100dn.pdfpdf_icon

SI7102DN

Si7100DNVishay SiliconixN-Channel 8-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.0035 at VGS = 4.5 V 35COMPLIANT Low Thermal Resistance PowerPAK Package8 40 nC0.0045 at VGS = 2.5 V 35with Small Size and Low 1.07 mm Profile 100 % Rg TestedPowerPAK 12

 9.2. Size:550K  vishay
si7107dn.pdfpdf_icon

SI7102DN

Si7107DNVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.0108 at VGS = - 4.5 V - 15.3 TrenchFET Power MOSFET: 1.8 V Rated0.015 at VGS = - 2.5 V - 20 - 13.0 Ultra Low On-Resistance for Increased 0.020 at VGS = - 1.8 V Battery Life- 11.2 New PowerPAK P

 9.3. Size:563K  vishay
si7101dn.pdfpdf_icon

SI7102DN

New ProductSi7101DNVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100% Rg and UIS Tested Material categorization:0.0072 at VGS = - 10 V - 35d- 30 32 nC For definitions of compliance please see0.0130 at VGS = - 4.5 V - 35dwww.vishay.com/doc?99912PowerPAK 1212-8APPL

Другие MOSFET... SI6943BDQ , SI6954ADQ , SI6963BDQ , SI6968BEDQ , SI6981DQ , SI6993DQ , SI7100DN , SI7101DN , 75N75 , SI7104DN , SI7106DN , SI7107DN , SI7108DN , SI7110DN , SI7112DN , SI7113DN , SI7114ADN .

History: ZXMP7A17K | SM2309PSA | ST2304SRG | SFF6N100S1 | 2SK1283 | IRHQ57214SE | ASDM3010

 

 
Back to Top

 


 
.