SI7108DN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI7108DN  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0049 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-1212-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI7108DN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7108DN даташит

 ..1. Size:530K  vishay
 si7108dn.pdf pdf_icon

SI7108DN

Si7108DN Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Gen II Power MOSFET for RoHS 0.0049 at VGS = 10 V 22 COMPLIANT 20 20 Ultra Low On-Resistance 0.0061 at VGS = 4.5 V 19.7 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profil

 9.1. Size:547K  vishay
 si7100dn.pdf pdf_icon

SI7108DN

Si7100DN Vishay Siliconix N-Channel 8-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.0035 at VGS = 4.5 V 35 COMPLIANT Low Thermal Resistance PowerPAK Package 8 40 nC 0.0045 at VGS = 2.5 V 35 with Small Size and Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested PowerPAK 12

 9.2. Size:550K  vishay
 si7107dn.pdf pdf_icon

SI7108DN

Si7107DN Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.0108 at VGS = - 4.5 V - 15.3 TrenchFET Power MOSFET 1.8 V Rated 0.015 at VGS = - 2.5 V - 20 - 13.0 Ultra Low On-Resistance for Increased 0.020 at VGS = - 1.8 V Battery Life - 11.2 New PowerPAK P

 9.3. Size:563K  vishay
 si7101dn.pdf pdf_icon

SI7108DN

New Product Si7101DN Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) 100% Rg and UIS Tested Material categorization 0.0072 at VGS = - 10 V - 35d - 30 32 nC For definitions of compliance please see 0.0130 at VGS = - 4.5 V - 35d www.vishay.com/doc?99912 PowerPAK 1212-8 APPL

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SI6981DQ, SI6993DQ, SI7100DN, SI7101DN, SI7102DN, SI7104DN, SI7106DN, SI7107DN, STF13NM60N, SI7110DN, SI7112DN, SI7113DN, SI7114ADN, SI7114DN, SI7115DN, SI7116DN, SI7117DN