Справочник MOSFET. SI7141DP

 

SI7141DP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI7141DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 128 nC
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0019 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8

 Аналог (замена) для SI7141DP

 

 

SI7141DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:107K  vishay
si7141dp.pdf

SI7141DP
SI7141DP

New ProductSi7141DPVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.0019 at VGS = - 10 V - 60d TrenchFET Power MOSFET- 20 128 nC 100 % Rg Tested0.0030 at VGS = - 4.5 V - 60d 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK

 9.1. Size:337K  vishay
si7145dp.pdf

SI7141DP
SI7141DP

New ProductSi7145DPVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.0026 at VGS = - 10 V - 60d TrenchFET Power MOSFET- 30 129 nC 100 % Rg Tested0.00375 at VGS = - 4.5 V - 60d 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPA

 9.2. Size:305K  vishay
si7149adp.pdf

SI7141DP
SI7141DP

Si7149ADPVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) Low On-Resistance for Low Voltage Drop Extended VGS max. Rating: 25 V0.0052 at VGS = - 10 V - 50d- 30 43.1 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0095 at VGS = - 4.5 V - 50d Material categorization: For definitions of

 9.3. Size:508K  vishay
si7149dp.pdf

SI7141DP
SI7141DP

New ProductSi7149DPVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0052 at VGS = - 10 V - 50d 100% Rg Tested- 30 51 nC0.0094 at VGS = - 4.5 V - 50d 100% UIS TestedPowerPAK SO-8APPLICATIONS Battery and Load SwitchingS - Notebook ComputersS6.15 m

 9.4. Size:124K  vishay
si7143dp.pdf

SI7141DP
SI7141DP

New ProductSi7143DPVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)e,f Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.0100 at VGS = - 10 V - 35- 30 24.6 nC Low Thermal Resistance PowerPAK0.0186 at VGS = - 4.5V - 35Package with Small Size and Low 1.07 mm Profile

 9.5. Size:303K  vishay
si7148dp.pdf

SI7141DP
SI7141DP

Si7148DPVishay SiliconixN-Channel 75-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.011 at VGS = 10 V 28 TrenchFET Power MOSFET75 33 nC0.0145 at VGS = 4.5 V 28 100 % Rg TestedAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 Primary Side SwitchS6.15 mm 5.15 mm1SD2S3G

Другие MOSFET... SI7121ADN , SI7121DN , SI7123DN , SI7135DP , SI7136DP , SI7137DP , SI7138DP , SI7139DP , 2SK3918 , SI7143DP , SI7145DP , SI7148DP , SI7149ADP , SI7149DP , SI7156DP , SI7157DP , SI7159DP .

 

 
Back to Top