Справочник MOSFET. SI7192DP

 

SI7192DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI7192DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1050 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0019 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7192DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:506K  vishay
si7192dp.pdfpdf_icon

SI7192DP

New ProductSi7192DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Gen III Power MOSFETRoHS0.0019 at VGS = 10 V 60COMPLIANT 30 43.5 nC 100 % Rg Tested0.00225 at VGS = 4.5 V 60 100 % Avalanche TestedAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 VRM, POL, Server High

 9.1. Size:480K  vishay
si7194dp.pdfpdf_icon

SI7192DP

New ProductSi7194DPVishay SiliconixN-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETsRoHS0.002 at VGS = 10 V 60COMPLIANT 100 % Rg Tested25 42 nC0.0025 at VGS = 4.5 V 60 100 % Avalanche TestedPowerPAK SO-8APPLICATIONS Low-Side in CPU and GPU core DC/DC

 9.2. Size:478K  vishay
si7190dp.pdfpdf_icon

SI7192DP

New ProductSi7190DPVishay SiliconixN-Channel 250-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)g Qg (Typ.)Definition 0.118 at VGS = 10 V 18.4 TrenchFET Power MOSFET250 320.124 at VGS = 6 V 18.0 Low Thermal Resistance PowerPAK Package 100 % Rg TestedPowerPAK SO-8 100 % UIS Tes

 9.3. Size:477K  vishay
si7196dp.pdfpdf_icon

SI7192DP

Si7196DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.011 at VGS = 10 V 16g Extremely Low Qgd WFET Technology 30 13.2 nC0.0145 at VGS = 4.5 V 16g for Switching Losses 100 % Rg TestedPowerPAK SO-8 100 % Avalanche TestedAPPLICATIONS

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: LSC65R280HT | 2SK3700 | IPB22N03S4L-15

 

 
Back to Top

 


 
.