IRFS341. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFS341

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 350 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 41 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 178 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm

Тип корпуса: TO3PF

Аналог (замена) для IRFS341

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS341 даташит

 ..1. Size:282K  1
 irfs340 irfs341.pdf pdf_icon

IRFS341

 8.1. Size:185K  1
 irfs340.pdf pdf_icon

IRFS341

 8.2. Size:676K  1
 irfs340b.pdf pdf_icon

IRFS341

November 2001 IRFS340B 400V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 8A, 400V, RDS(on) = 0.54 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 41 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 35 pF) This advanced technology has been especially tailored to Fast sw

 8.3. Size:226K  1
 irfs340a.pdf pdf_icon

IRFS341

IRFS340A FEATURES BVDSS = 400 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.55 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 8 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3PF Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 400V Lower RDS(ON) 0.437 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Character

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFS253, IRFS254A, IRFS330, IRFS331, IRFS332, IRFS333, IRFS340, IRFS340A, IRF740, IRFS342, IRFS343, IRFS350, IRFS350A, IRFS351, IRFS352, IRFS353, IRFS430