SI7380ADP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI7380ADP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 5.4 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.6 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 31 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 13 ns
Выходная емкость (Cd): 780 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.003 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
SI7380ADP Datasheet (PDF)
si7380adp.pdf
Si7380ADPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free availableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.003 at VGS = 10 V 40 PWM Optimized COMPLIANT30 54 nC0.0035 at VGS = 4.5 V 40 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg TestedPowerPAK
si7388dp.pdf
Si7388DPVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free availableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.007 at VGS = 10 V 19COMPLIANT New Low Thermal Resistance PowerPAK300.010 at VGS = 4.5 V 15 Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested APPLICATIONSPowerPAK SO-8
si7382dp.pdf
Si7382DPVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free availableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Ultra-Low On-Resistance Using HighRoHS0.0047 at VGS = 10 V 2430 Density TrenchFET Gen II Power COMPLIANT0.0062 at VGS = 4.5 V 21MOSFET Technology Qg Optimized New Low Thermal Resistance PowerPAK Package wi
si7384dp.pdf
Si7384DPVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free availableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Gen II Power MOSFETRoHS0.0085 at VGS = 10 V 18COMPLIANT PWM Optimized for High Efficiency300.0125 at VGS = 4.5 V 14 New Low Thermal Resistance PowerPAKPackage with Low 1.07 mm Profile 1
si7386dp.pdf
Si7386DPVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free availableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Gen II Power MOSFETRoHS0.007 at VGS = 10 V 1930 11.5 COMPLIANT PWM Optimized for High Efficiency0.0095 at VGS = 4.5 V 17 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Pr
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
