Справочник MOSFET. SI7384DP

 

SI7384DP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI7384DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8

 Аналог (замена) для SI7384DP

 

 

SI7384DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:460K  vishay
 si7384dp.pdf

SI7384DP SI7384DP

Si7384DPVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free availableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Gen II Power MOSFETRoHS0.0085 at VGS = 10 V 18COMPLIANT PWM Optimized for High Efficiency300.0125 at VGS = 4.5 V 14 New Low Thermal Resistance PowerPAKPackage with Low 1.07 mm Profile 1

 9.1. Size:460K  vishay
 si7388dp.pdf

SI7384DP SI7384DP

Si7388DPVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free availableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.007 at VGS = 10 V 19COMPLIANT New Low Thermal Resistance PowerPAK300.010 at VGS = 4.5 V 15 Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested APPLICATIONSPowerPAK SO-8

 9.2. Size:467K  vishay
 si7380adp.pdf

SI7384DP SI7384DP

Si7380ADPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free availableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.003 at VGS = 10 V 40 PWM Optimized COMPLIANT30 54 nC0.0035 at VGS = 4.5 V 40 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg TestedPowerPAK

 9.3. Size:487K  vishay
 si7382dp.pdf

SI7384DP SI7384DP

Si7382DPVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free availableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Ultra-Low On-Resistance Using HighRoHS0.0047 at VGS = 10 V 2430 Density TrenchFET Gen II Power COMPLIANT0.0062 at VGS = 4.5 V 21MOSFET Technology Qg Optimized New Low Thermal Resistance PowerPAK Package wi

 9.4. Size:460K  vishay
 si7386dp.pdf

SI7384DP SI7384DP

Si7386DPVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free availableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Gen II Power MOSFETRoHS0.007 at VGS = 10 V 1930 11.5 COMPLIANT PWM Optimized for High Efficiency0.0095 at VGS = 4.5 V 17 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Pr

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top