Справочник MOSFET. IRFS350

 

IRFS350 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFS350
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 65(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 338 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO3PF
 

 Аналог (замена) для IRFS350

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS350 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:187K  1
 irfs350.pdf pdf_icon

IRFS350

 ..2. Size:272K  1
 irfs350 irfs351.pdf pdf_icon

IRFS350

 0.1. Size:235K  1
 irfs350a.pdf pdf_icon

IRFS350

IRFS350AFEATURESBVDSS = 400 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 11.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-3PF Lower Leakage Current: 10A (Max.) @ VDS = 400V Low RDS(ON): 0.254 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Character

 0.2. Size:430K  international rectifier
 irfb3507pbf irfs3507pbf irfsl3507pbf.pdf pdf_icon

IRFS350

PD - 95935BIRFB3507PbFIRFS3507PbFIRFSL3507PbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSl Uninterruptible Power Supply DVDSS75Vl High Speed Power SwitchingRDS(on) typ.7.0ml Hard Switched and High Frequency Circuitsl Lead-FreeG max. 8.8mID97ASBenefitsl Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRuggednessSSS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFS331 , IRFS332 , IRFS333 , IRFS340 , IRFS340A , IRFS341 , IRFS342 , IRFS343 , IRF540 , IRFS350A , IRFS351 , IRFS352 , IRFS353 , IRFS430 , IRFS431 , IRFS432 , IRFS433 .

History: OSG65R290AF | RTL020P02FRA | BUK9506-75B

 

 
Back to Top

 


 
.