IRFS350. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFS350

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 65 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 338 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO3PF

Аналог (замена) для IRFS350

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS350 даташит

 ..1. Size:187K  1
 irfs350.pdf pdf_icon

IRFS350

 ..2. Size:272K  1
 irfs350 irfs351.pdf pdf_icon

IRFS350

 0.1. Size:235K  1
 irfs350a.pdf pdf_icon

IRFS350

IRFS350A FEATURES BVDSS = 400 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 11.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3PF Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 400V Low RDS(ON) 0.254 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Character

 0.2. Size:430K  international rectifier
 irfb3507pbf irfs3507pbf irfsl3507pbf.pdf pdf_icon

IRFS350

PD - 95935B IRFB3507PbF IRFS3507PbF IRFSL3507PbF Applications HEXFET Power MOSFET l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS l Uninterruptible Power Supply D VDSS 75V l High Speed Power Switching RDS(on) typ. 7.0m l Hard Switched and High Frequency Circuits l Lead-Free G max. 8.8m ID 97A S Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness S S S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFS331, IRFS332, IRFS333, IRFS340, IRFS340A, IRFS341, IRFS342, IRFS343, IRF540N, IRFS350A, IRFS351, IRFS352, IRFS353, IRFS430, IRFS431, IRFS432, IRFS433