SI7392DP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI7392DP  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00975 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI7392DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7392DP даташит

 ..1. Size:473K  vishay
 si7392dp.pdf pdf_icon

SI7392DP

Si7392DP Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.00975 at VGS = 10 V 15 30 Extremely Low Qgd for Low Switching Losses 0.01375 at VGS = 4.5 V 13 TrenchFET Power MOSFET New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm

 8.1. Size:492K  vishay
 si7392ad.pdf pdf_icon

SI7392DP

Si7392ADP Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Extremely Low Qgd WFET Technology RoHS 0.0075 at VGS = 10 V 30 for Low Switching Losses COMPLIANT 30 12 TrenchFET Power MOSFET 0.0115 at VGS = 4.5 V 30 New Low Thermal ResistancePowerPAK Package

 8.2. Size:473K  vishay
 si7392adp.pdf pdf_icon

SI7392DP

Si7392ADP Vishay Siliconix N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.0075 at VGS = 10 V 30 Extremely Low Qgd for Low Switching Losses 30 12 TrenchFET Power MOSFET 0.0115 at VGS = 4.5 V 30 New Low Thermal ResistancePowerPAK PowerPAK SO

 9.1. Size:476K  vishay
 si7390dp.pdf pdf_icon

SI7392DP

Si7390DP Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.0095 at VGS = 10 V 15 Extremely Low Qgd for Low Switching Losses 30 0.0135 at VGS = 4.5 V 13 TrenchFET Power MOSFET New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Prof

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SI7374DP, SI7380ADP, SI7382DP, SI7384DP, SI7386DP, SI7388DP, SI7390DP, SI7392ADP, 12N60, SI7402DN, SI7403BDN, SI7404DN, SI7405BDN, SI7407DN, SI7409ADN, SI7411DN, SI7413DN