SI7431DP datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: SI7431DP 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.174 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для SI7431DP
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SI7431DP даташит
si7431dp.pdf
Si7431DP Vishay Siliconix P-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.174 at VGS = - 10 V - 3.8 TrenchFET Power MOSFETs - 200 88 0.180 at VGS = - 6 V - 3.6 Ultra-Low On-Resistance Critical for Application Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Lo
si7439dp.pdf
Si7439DP Vishay Siliconix P-Channel 150 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.090 at VGS = - 10 V - 5.2 TrenchFET Power MOSFETs - 150 0.095 at VGS = - 6 V Ultra-Low On-Resistance Critical for Application - 5.0 Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profi
si7434dp.pdf
Si7434DP Vishay Siliconix N-Channel 250-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.155 at VGS = 10 V 3.8 PWM-OptimizedTrenchFET Power MOSFET 250 0.162 at VGS = 6 V 100 % Rg Tested 3.7 Avalanche Tested APPLICATIONS Primary Side Switch In D - Telecom Power Supplies Power
si7430dp.pdf
Si7430DP Vishay Siliconix N-Channel 150 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.045 at VGS = 10 V 26 Extremely Low Qgd for Reduced dV/dt, Qgd and 150 23 nC Shoot-Through 0.047 at VGS = 8 V 25 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested PowerPAK SO-8 Compliant to RoHS
Другие IGBT... SI7409ADN, SI7411DN, SI7413DN, SI7414DN, SI7415DN, SI7423DN, SI7425DN, SI7430DP, TK10A60D, SI7434DP, SI7439DP, SI7440DP, SI7445DP, SI7446BDP, SI7447ADP, SI7448DP, SI7450DP
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: SST65R600S2 | IRF8714PBF | NDH8504P | IXFK48N55
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
2sc1400 replacement | 2sb817 | mn2488 datasheet | c2026 transistor | 2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor




