Справочник MOSFET. SI7434DP

 

SI7434DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI7434DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.155 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7434DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:467K  vishay
si7434dp.pdfpdf_icon

SI7434DP

Si7434DPVishay SiliconixN-Channel 250-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.155 at VGS = 10 V 3.8 PWM-OptimizedTrenchFET Power MOSFET2500.162 at VGS = 6 V 100 % Rg Tested3.7 Avalanche Tested APPLICATIONS Primary Side Switch In:D - Telecom Power SuppliesPower

 9.1. Size:482K  vishay
si7439dp.pdfpdf_icon

SI7434DP

Si7439DPVishay SiliconixP-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.090 at VGS = - 10 V - 5.2 TrenchFET Power MOSFETs- 1500.095 at VGS = - 6 V Ultra-Low On-Resistance Critical for Application- 5.0 Low Thermal Resistance PowerPAKPackage with Low 1.07 mm Profi

 9.2. Size:486K  vishay
si7430dp.pdfpdf_icon

SI7434DP

Si7430DPVishay SiliconixN-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.045 at VGS = 10 V 26 Extremely Low Qgd for Reduced dV/dt, Qgd and150 23 nCShoot-Through0.047 at VGS = 8 V 25 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8 Compliant to RoHS

 9.3. Size:493K  vishay
si7431dp.pdfpdf_icon

SI7434DP

Si7431DPVishay SiliconixP-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.174 at VGS = - 10 V - 3.8 TrenchFET Power MOSFETs- 200 880.180 at VGS = - 6 V - 3.6 Ultra-Low On-Resistance Critical for Application Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Lo

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AONH36334 | BUK455-100B | NCEAP016N10LL | FDG6320C | SI7413DN | STB10NK60ZT4 | SSF65R420S2

 

 
Back to Top

 


 
.