Справочник MOSFET. SI7446BDP

 

SI7446BDP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI7446BDP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 657 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7446BDP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:484K  vishay
si7446bdp.pdfpdf_icon

SI7446BDP

Si7446BDPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition 0.0075 at VGS = 10 V 19 TrenchFET Power MOSFET300.010 at VGS = 4.5 V 17 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK SO-8DS6.15 mm 5.15 mm1S2S3 GG

 8.1. Size:50K  vishay
si7446dp.pdfpdf_icon

SI7446BDP

Si7446DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD TrenchFETr Power MOSFETD High-Efficiency PWM OptimizedVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)D 100% Rg Tested0.0075 @ VGS = 10 V 1930300.010 @ VGS = 4.5 V 17D D D DPowerPAKr SO-8S6.15 mm 5.15 mm1S2S3GG4D8DN-Channel MOSFET7D6D5Bottom ViewS S SOrder

 9.1. Size:457K  vishay
si7448dp 2.pdfpdf_icon

SI7446BDP

Si7448DPVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0065 at VGS = 4.5 V 22 TrenchFET Power MOSFET20 New Low Thermal Resistance PowerPAK0.009 at VGS = 2.5 V 19 Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested APPLICATIONSPowerPAK S

 9.2. Size:84K  vishay
si7444dp.pdfpdf_icon

SI7446BDP

Si7444DPVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Available0.0061 at VGS = 10 V 40 23.6 105 TrenchFET Power MOSFET New Low Thermal Resistance PowerPAKPackage with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested High Threshold Voltage at Hi

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IRFP4768 | NVMFS5C628N | SVT043R0NT | NCEP026N10F | MC11N005 | SI7913DN | JCS5N50CT

 

 
Back to Top

 


 
.