SI7613DN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI7613DN  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 535 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0087 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-1212-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI7613DN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7613DN даташит

 ..1. Size:566K  vishay
 si7613dn.pdf pdf_icon

SI7613DN

New Product Si7613DN Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)e,f Qg (Typ.) Definition 0.0087 at VGS = - 10 V - 35 TrenchFET Power MOSFET - 20 28.1 nC Low Thermal Resistance PowerPAK 0.014 at VGS = - 4.5V - 35 Package with Small Size and Low 1.07 mm Profile

 9.1. Size:122K  vishay
 si7619dn.pdf pdf_icon

SI7613DN

New Product Si7619DN Vishay Siliconix P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.021 at VGS = - 10 V - 24e - 30 15 nC 100 % Rg Tested 0.034 at VGS = - 4.5 V - 18.7 100 % UIS Tested PowerPAK 1212-8 Compliant to RoHS Directiv

 9.2. Size:639K  vishay
 si7615cdn.pdf pdf_icon

SI7613DN

Si7615CDN www.vishay.com Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PowerPAK 1212-8 Single D TrenchFET Gen III p-channel power MOSFET D 8 D 7 RDS(on) rating at VGS = -1.8 V D 6 5 100 % Rg and UIS tested Material categorization for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 1 1 2 S S 3 S APPLICATIONS S 4 S 1 G

 9.3. Size:122K  vishay
 si7615dn.pdf pdf_icon

SI7613DN

New Product Si7615DN Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.0039 at VGS = - 10 V - 35a TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFET 0.0055 at VGS = - 4.5 V - 20 100 % Rg Tested - 35a 62 nC 100 % UIS Tested 0.0098 at VGS = - 2.5 V - 35a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SI7485DP, SI7489DP, SI7491DP, SI7495DP, SI7540ADP, SI7540DP, SI7601DN, SI7611DN, IRF840, SI7615ADN, SI7615DN, SI7617DN, SI7619DN, SI7620DN, SI7621DN, SI7623DN, SI7625DN