Справочник MOSFET. SI7615ADN

 

SI7615ADN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI7615ADN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0044 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-1212-8
 

 Аналог (замена) для SI7615ADN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7615ADN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:548K  vishay
si7615adn.pdfpdf_icon

SI7615ADN

New ProductSi7615ADNVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0044 at VGS = - 10 V - 35a Material categorization:0.0060 at VGS = - 4.5 V - 20- 35a 59 nCFor definitions of compliance please see0.0098 at VGS = - 2.5 V

 8.1. Size:639K  vishay
si7615cdn.pdfpdf_icon

SI7615ADN

Si7615CDNwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPowerPAK 1212-8 SingleD TrenchFET Gen III p-channel power MOSFETD8D7 RDS(on) rating at VGS = -1.8 VD65 100 % Rg and UIS tested Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912112SS3SAPPLICATIONSS4S1G

 8.2. Size:122K  vishay
si7615dn.pdfpdf_icon

SI7615ADN

New ProductSi7615DNVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.0039 at VGS = - 10 V - 35a TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFET0.0055 at VGS = - 4.5 V - 20 100 % Rg Tested- 35a 62 nC 100 % UIS Tested0.0098 at VGS = - 2.5 V - 35a

 9.1. Size:122K  vishay
si7619dn.pdfpdf_icon

SI7615ADN

New ProductSi7619DNVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET0.021 at VGS = - 10 V - 24e- 30 15 nC 100 % Rg Tested0.034 at VGS = - 4.5 V - 18.7 100 % UIS TestedPowerPAK 1212-8 Compliant to RoHS Directiv

Другие MOSFET... SI7489DP , SI7491DP , SI7495DP , SI7540ADP , SI7540DP , SI7601DN , SI7611DN , SI7613DN , IRF840 , SI7615DN , SI7617DN , SI7619DN , SI7620DN , SI7621DN , SI7623DN , SI7625DN , SI7629DN .

 

 
Back to Top

 


 
.