IRFS431. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFS431

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 450 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для IRFS431

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS431 даташит

 0.1. Size:324K  international rectifier
 irfb4310zpbf irfs4310zpbf irfsl4310zpbf.pdf pdf_icon

IRFS431

PD - 97115D IRFB4310ZPbF IRFS4310ZPbF IRFSL4310ZPbF HEXFET Power MOSFET Applications D VDSS 100V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 4.8m l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching max. 6.0m l Hard Switched and High Frequency Circuits G ID (Silicon Limited) 127A c ID (Package Limited) 120A S Benefits l Improved Gate,

 0.2. Size:376K  international rectifier
 irfb4310pbf irfs4310pbf irfsl4310pbf.pdf pdf_icon

IRFS431

PD - 14275D IRFB4310PbF IRFS4310PbF IRFSL4310PbF Applications HEXFET Power MOSFET l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS l Uninterruptible Power Supply D VDSS 100V l High Speed Power Switching l Hard Switched and High Frequency Circuits RDS(on) typ. 5.6m G max. 7.0m ID 130A S Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness l Fully Characterized

 0.3. Size:334K  international rectifier
 auirfs4310trl.pdf pdf_icon

IRFS431

PD - 96324 AUTOMOTIVE GRADE AUIRFS4310 AUIRFSL4310 Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology V(BR)DSS l Ultra Low On-Resistance 100V D l 175 C Operating Temperature RDS(on) typ. 5.6m l Fast Switching l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax max. 7.0m G l Lead-Free, RoHS Compliant ID (Silicon Limited) 130A l Automotive Qualified * S ID (Package L

 0.4. Size:672K  infineon
 auirfs4310z.pdf pdf_icon

IRFS431

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFS4310Z HEXFET Power MOSFET Features VDSS 100V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 4.8m Ultra Low On-Resistance max. Dynamic dv/dt Rating 6.0m 175 C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 127A Fast Switching ID (Package Limited) 120A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFS342, IRFS343, IRFS350, IRFS350A, IRFS351, IRFS352, IRFS353, IRFS430, IRF1404, IRFS432, IRFS433, IRFS440, IRFS440A, IRFS441, IRFS442, IRFS443, IRFS450