SI7726DN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI7726DN  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-1212-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI7726DN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7726DN даташит

 ..1. Size:561K  vishay
 si7726dn.pdf pdf_icon

SI7726DN

Si7726DN Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)e Qg (Typ.) SkyFET Monolithic TrenchFET Power RoHS 0.0095 at VGS = 10 V 35 MOSFET and Schottky Diode COMPLIANT 30 12.5 nC 0.0125 at VGS = 4.5 V 35 Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Small Size and Low 1.07

 9.1. Size:549K  vishay
 si7720dn.pdf pdf_icon

SI7726DN

Si7720DN Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)e Qg (Typ.) SkyFET Monolithic TrenchFET Power 0.0125 at VGS = 10 V 12 MOSFET and Schottky Diode 30 13.7 nC RoHS 0.015 at VGS = 4.5 V 12 COMPLIANT Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Small Size and Low 1.07

Другие IGBT... SI7668ADP, SI7674DP, SI7682DP, SI7686DP, SI7703EDN, SI7716ADN, SI7718DN, SI7720DN, IRF4905, SI7738DP, SI7742DP, SI7748DP, SI7758DP, SI7772DP, SI7774DP, SI7784DP, SI7788DP