SI7726DN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI7726DN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.6 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.9 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-1212-8
SI7726DN Datasheet (PDF)
si7726dn.pdf
Si7726DNVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)e Qg (Typ.) SkyFET Monolithic TrenchFET Power RoHS0.0095 at VGS = 10 V 35MOSFET and Schottky DiodeCOMPLIANT 30 12.5 nC0.0125 at VGS = 4.5 V 35 Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Small Size and Low 1.07
si7720dn.pdf
Si7720DNVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)e Qg (Typ.) SkyFET Monolithic TrenchFET Power 0.0125 at VGS = 10 V 12MOSFET and Schottky Diode30 13.7 nC RoHS0.015 at VGS = 4.5 V 12COMPLIANT Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Small Size and Low 1.07
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: FDP150N10AF102
History: FDP150N10AF102
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918