IRFS440. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFS440

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 154 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: TO3PF

Аналог (замена) для IRFS440

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS440 даташит

 ..1. Size:279K  1
 irfs440 irfs441.pdf pdf_icon

IRFS440

 ..2. Size:185K  1
 irfs440.pdf pdf_icon

IRFS440

 0.1. Size:226K  1
 irfs440a.pdf pdf_icon

IRFS440

IRFS440A FEATURES BVDSS = 500 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.85 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 6.2 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3PF Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 500V Lower RDS(ON) 0.638 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Charact

 0.2. Size:691K  1
 irfs440b.pdf pdf_icon

IRFS440

November 2001 IRFS440B 500V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 6.2A, 500V, RDS(on) = 0.8 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 41 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 35 pF) This advanced technology has been especially tailored to Fast s

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFS350A, IRFS351, IRFS352, IRFS353, IRFS430, IRFS431, IRFS432, IRFS433, IRF640N, IRFS440A, IRFS441, IRFS442, IRFS443, IRFS450, IRFS450A, IRFS451, IRFS452