Справочник MOSFET. IRFS440

 

IRFS440 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFS440
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 74(max) nC
   trⓘ - Время нарастания: 35(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 154 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO3PF
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS440 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:279K  1
 irfs440 irfs441.pdf pdf_icon

IRFS440

 ..2. Size:185K  1
 irfs440.pdf pdf_icon

IRFS440

 0.1. Size:226K  1
 irfs440a.pdf pdf_icon

IRFS440

IRFS440AFEATURESBVDSS = 500 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.85 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 6.2 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-3PF Lower Leakage Current: 10A (Max.) @ VDS = 500V Lower RDS(ON): 0.638 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Charact

 0.2. Size:691K  1
 irfs440b.pdf pdf_icon

IRFS440

November 2001IRFS440B500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 6.2A, 500V, RDS(on) = 0.8 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 41 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 35 pF)This advanced technology has been especially tailored to Fast s

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.