Справочник MOSFET. SI7802DN

 

SI7802DN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI7802DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.24 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.435 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-1212-8

 Аналог (замена) для SI7802DN

 

 

SI7802DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:534K  vishay
 si7802dn.pdf

SI7802DN SI7802DN

Si7802DNVishay SiliconixN-Channel 250-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.435 at VGS = 10 V 1.95 PWM-Optimized TrenchFET Power MOSFET2500.445 at VGS = 6 V 1.9 Avalanche Tested 100 % Rg TestedAPPLICATIONSPowerPAK 1212-8 Primary Side Switch Small DC/DC

 9.1. Size:562K  vishay
 si7804dn.pdf

SI7802DN SI7802DN

Si7804DNVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0185 at VGS = 10 V 10 TrenchFET Power MOSFET300.030 at VGS = 4.5 V 8 New Low Thermal Resistance PowerPAKPackage with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested PowerPAK 1212-8APPL

 9.2. Size:532K  vishay
 si7806adn.pdf

SI7802DN SI7802DN

Si7806ADNVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.011 at VGS = 10 V 14 TrenchFET Power MOSFET300.016 at VGS = 4.5 V 12 PWM Optimized New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg TestedAPPLICATIONSP

 9.3. Size:352K  vishay
 si7806dn.pdf

SI7802DN SI7802DN

Si7806DNVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)Available PWM Optimized0.011 at VGS = 10 V 14.4RoHS* New Low Thermal Resistance PowerPAK30COMPLIANTPackage with Low 1.07-mm Profile0.0175 at VGS = 4.5 V 12.6APPLICATIONS DC/DC Converters Secondary Sy

Другие MOSFET... SI7758DP , SI7772DP , SI7774DP , SI7784DP , SI7788DP , SI7790DP , SI7792DP , SI7794DP , STP80NF70 , SI7804DN , SI7806ADN , SI7810DN , SI7812DN , SI7818DN , SI7820DN , SI7840BDP , SI7846DP .

 

 
Back to Top