Справочник MOSFET. SI7802DN

 

SI7802DN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI7802DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.24 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.435 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-1212-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7802DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:534K  vishay
si7802dn.pdfpdf_icon

SI7802DN

Si7802DNVishay SiliconixN-Channel 250-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.435 at VGS = 10 V 1.95 PWM-Optimized TrenchFET Power MOSFET2500.445 at VGS = 6 V 1.9 Avalanche Tested 100 % Rg TestedAPPLICATIONSPowerPAK 1212-8 Primary Side Switch Small DC/DC

 9.1. Size:562K  vishay
si7804dn.pdfpdf_icon

SI7802DN

Si7804DNVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0185 at VGS = 10 V 10 TrenchFET Power MOSFET300.030 at VGS = 4.5 V 8 New Low Thermal Resistance PowerPAKPackage with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested PowerPAK 1212-8APPL

 9.2. Size:532K  vishay
si7806adn.pdfpdf_icon

SI7802DN

Si7806ADNVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.011 at VGS = 10 V 14 TrenchFET Power MOSFET300.016 at VGS = 4.5 V 12 PWM Optimized New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg TestedAPPLICATIONSP

 9.3. Size:352K  vishay
si7806dn.pdfpdf_icon

SI7802DN

Si7806DNVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)Available PWM Optimized0.011 at VGS = 10 V 14.4RoHS* New Low Thermal Resistance PowerPAK30COMPLIANTPackage with Low 1.07-mm Profile0.0175 at VGS = 4.5 V 12.6APPLICATIONS DC/DC Converters Secondary Sy

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: 2SK1952 | IRF7341PBF | IAUC100N10S5N040 | STU601S | VBMB165R18 | BUZ355 | IRF8915

 

 
Back to Top

 


 
.