SI7802DN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI7802DN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.435 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-1212-8

Аналог (замена) для SI7802DN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7802DN даташит

 ..1. Size:534K  vishay
 si7802dn.pdf pdf_icon

SI7802DN

Si7802DN Vishay Siliconix N-Channel 250-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.435 at VGS = 10 V 1.95 PWM-Optimized TrenchFET Power MOSFET 250 0.445 at VGS = 6 V 1.9 Avalanche Tested 100 % Rg Tested APPLICATIONS PowerPAK 1212-8 Primary Side Switch Small DC/DC

 9.1. Size:562K  vishay
 si7804dn.pdf pdf_icon

SI7802DN

Si7804DN Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.0185 at VGS = 10 V 10 TrenchFET Power MOSFET 30 0.030 at VGS = 4.5 V 8 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested PowerPAK 1212-8 APPL

 9.2. Size:532K  vishay
 si7806adn.pdf pdf_icon

SI7802DN

Si7806ADN Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.011 at VGS = 10 V 14 TrenchFET Power MOSFET 30 0.016 at VGS = 4.5 V 12 PWM Optimized New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested APPLICATIONS P

 9.3. Size:352K  vishay
 si7806dn.pdf pdf_icon

SI7802DN

Si7806DN Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) rDS(on) ( )ID (A) Available PWM Optimized 0.011 at VGS = 10 V 14.4 RoHS* New Low Thermal Resistance PowerPAK 30 COMPLIANT Package with Low 1.07-mm Profile 0.0175 at VGS = 4.5 V 12.6 APPLICATIONS DC/DC Converters Secondary Sy

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SI7758DP, SI7772DP, SI7774DP, SI7784DP, SI7788DP, SI7790DP, SI7792DP, SI7794DP, SPP20N60C3, SI7804DN, SI7806ADN, SI7810DN, SI7812DN, SI7818DN, SI7820DN, SI7840BDP, SI7846DP