SI7840BDP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI7840BDP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-SO-8

Аналог (замена) для SI7840BDP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7840BDP даташит

 ..1. Size:466K  vishay
si7840bdp.pdfpdf_icon

SI7840BDP

Si7840BDP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Available 0.0085 at VGS = 10 V 16.5 TrenchFET Power MOSFET 30 14 0.0105 at VGS = 4.5 V New Low Thermal Resistance PowerPAK 13 Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested PowerP

 8.1. Size:49K  vishay
si7840dp.pdfpdf_icon

SI7840BDP

Si7840DP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY D TrenchFETr Power MOSFET VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) D New Low Thermal Resistance PowerPAKr Package with Low 1.07-mm Profile 0.0095 @ VGS = 10 V 18 30 30 D 100% Rg Tested 0.014 @ VGS = 4.5 V 15 APPLICATIONS D DC/DC Converters D Optimized for High-Side Synchronous Rectifier Operat

 9.1. Size:293K  vishay
si7846dp.pdfpdf_icon

SI7840BDP

Si7846DP Vishay Siliconix N-Channel 150-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.050 at VGS = 10 V 6.7 150 TrenchFET Power MOSFETS New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile PWM Optimized for Fast Switching 100 % Rg Tested PowerPAK SO-8 APPLICA

 9.2. Size:97K  vishay
si7848dp.pdfpdf_icon

SI7840BDP

Si7848DP Vishay Siliconix N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETS VDS (V) rDS(on) ( )ID (A) Pb-free New Low Thermal Resistance 0.009 at VGS = 10 V 17 Available PowerPAK Package with Low 1.07-mm 40 RoHS* 0.012 at VGS = 4.5 V 15 Profile COMPLIANT PWM Optimized for Fast Switching 100 % Rg Tested PowerPAK SO-8 APPLI

Другие IGBT... SI7794DP, SI7802DN, SI7804DN, SI7806ADN, SI7810DN, SI7812DN, SI7818DN, SI7820DN, IRF1010E, SI7846DP, SI7848BDP, SI7848DP, SI7850DP, SI7852ADP, SI7852DP, SI7856ADP, SI7858ADP