SI7850DP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI7850DP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-SO-8

Аналог (замена) для SI7850DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7850DP даташит

 ..1. Size:311K  vishay
si7850dp.pdfpdf_icon

SI7850DP

Si7850DP Vishay Siliconix N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.022 at VGS = 10 V 10.3 TrenchFET Power MOSFETs 60 0.031 at VGS = 4.5 V 8.7 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile PWM Optimized for Fast Switching

 ..2. Size:1643K  cn vbsemi
si7850dp.pdfpdf_icon

SI7850DP

SI7850DP www.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21 PRODUCT SUMMARY Available VDS (V) 60 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) max. ( ) at VGS = 10 V 0.024 100 % Rg Tested RDS(on) max. ( ) at VGS = 4.5 V 0.028 100 % UIS Tested Qg typ. (nC) 5.2 ID (A) 15a, g APPLICATIONS Configuration Single Battery Switch

 9.1. Size:469K  vishay
si7852dp.pdfpdf_icon

SI7850DP

Si7852DP Vishay Siliconix N-Channel 80-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.0165 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFETS 12.5 80 New Low Thermal Resistance PowerPAK 0.022 at VGS = 6 V 10.9 Package with Low 1.07 mm Profile PWM Optimized for Fast Switching 100 % Rg Tested

 9.2. Size:482K  vishay
si7858adp.pdfpdf_icon

SI7850DP

Si7858ADP Vishay Siliconix N-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.0026 at VGS = 4.5 V 29 New Low Thermal Resistance PowerPAK COMPLIANT 12 54 0.0037 at VGS = 2.5 V 23 Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested PowerPAK SO-8 APPLICATIONS

Другие IGBT... SI7810DN, SI7812DN, SI7818DN, SI7820DN, SI7840BDP, SI7846DP, SI7848BDP, SI7848DP, CS150N03A8, SI7852ADP, SI7852DP, SI7856ADP, SI7858ADP, SI7858BDP, SI7860ADP, SI7860DP, SI7862ADP