Справочник MOSFET. SI7852ADP

 

SI7852ADP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI7852ADP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7852ADP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:485K  vishay
si7852adp.pdfpdf_icon

SI7852ADP

Si7852ADPVishay SiliconixN-Channel 80-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.017 at VGS = 10 V 30 TrenchFET Power MOSFET80 30.50.021 at VGS = 8 V 30 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8APPLICATIONSS6.15 mm 5.15 mmD1 Primary Side Sw

 6.1. Size:482K  vishay
si7852ad.pdfpdf_icon

SI7852ADP

Si7852ADPVishay SiliconixN-Channel 80-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.017 at VGS = 10 V 30 TrenchFET Power MOSFET80 30.50.021 at VGS = 8 V 30 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8APPLICATIONSS6.15 mm 5.15 mmD1 Primary Side Sw

 8.1. Size:469K  vishay
si7852dp.pdfpdf_icon

SI7852ADP

Si7852DPVishay SiliconixN-Channel 80-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0165 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFETS12.580 New Low Thermal Resistance PowerPAK0.022 at VGS = 6 V 10.9Package with Low 1.07 mm Profile PWM Optimized for Fast Switching 100 % Rg Tested

 9.1. Size:311K  vishay
si7850dp.pdfpdf_icon

SI7852ADP

Si7850DPVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.022 at VGS = 10 V 10.3 TrenchFET Power MOSFETs600.031 at VGS = 4.5 V 8.7 New Low Thermal Resistance PowerPAKPackage with Low 1.07 mm Profile PWM Optimized for Fast Switching

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: CEU04N6 | STB10NK60ZT4 | SSF65R420S2 | BUK455-100B | SI7413DN | FDG6320C | NCEAP016N10LL

 

 
Back to Top

 


 
.