Справочник MOSFET. SI7858BDP

 

SI7858BDP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI7858BDP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 53 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1730 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7858BDP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:512K  vishay
si7858bdp.pdfpdf_icon

SI7858BDP

New ProductSi7858BDPVishay SiliconixN-Channel 12 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0025 at VGS = 4.5 V 40 TrenchFET Power MOSFET12 0.0030 at VGS = 2.5 V 40 56 nC 100 % Rg Tested0.0037 at VGS = 1.8 V 40 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 200

 8.1. Size:482K  vishay
si7858adp.pdfpdf_icon

SI7858BDP

Si7858ADPVishay SiliconixN-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free availableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.0026 at VGS = 4.5 V 29 New Low Thermal Resistance PowerPAK COMPLIANT12 540.0037 at VGS = 2.5 V 23Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested PowerPAK SO-8 APPLICATIONS

 9.1. Size:311K  vishay
si7850dp.pdfpdf_icon

SI7858BDP

Si7850DPVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.022 at VGS = 10 V 10.3 TrenchFET Power MOSFETs600.031 at VGS = 4.5 V 8.7 New Low Thermal Resistance PowerPAKPackage with Low 1.07 mm Profile PWM Optimized for Fast Switching

 9.2. Size:469K  vishay
si7852dp.pdfpdf_icon

SI7858BDP

Si7852DPVishay SiliconixN-Channel 80-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0165 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFETS12.580 New Low Thermal Resistance PowerPAK0.022 at VGS = 6 V 10.9Package with Low 1.07 mm Profile PWM Optimized for Fast Switching 100 % Rg Tested

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AM7640N | SI7913DN | FDH210N08 | MC11N005 | NVMFS5C628N | JCS5N50CT | NCEP026N10F

 

 
Back to Top

 


 
.