Справочник MOSFET. SI7904BDN

 

SI7904BDN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI7904BDN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-1212-8

 Аналог (замена) для SI7904BDN

 

 

SI7904BDN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:554K  vishay
 si7904bdn.pdf

SI7904BDN SI7904BDN

Si7904BDNVishay SiliconixDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.030 at VGS = 4.5 V 6 TrenchFET Power MOSFET0.036 at VGS = 2.5 V 20 69 nCAPPLICATIONS0.045 at VGS = 1.8 V 6 HDD Spindle DrivePowerPAK 1212-8S1 3.30 mm 3.30 mm 1 D1 D2G

 6.1. Size:553K  vishay
 si7904bd.pdf

SI7904BDN SI7904BDN

Si7904BDNVishay SiliconixDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.030 at VGS = 4.5 V 6 TrenchFET Power MOSFET0.036 at VGS = 2.5 V 20 69 nCAPPLICATIONS0.045 at VGS = 1.8 V 6 HDD Spindle DrivePowerPAK 1212-8S1 3.30 mm 3.30 mm 1 D1 D2G

 8.1. Size:534K  vishay
 si7904dn.pdf

SI7904BDN SI7904BDN

Si7904DNVishay SiliconixDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFETS: 1.8 V Rated0.030 at VGS = 4.5 V 7.7 New Low Thermal Resistance PowerPAK RoHSCOMPLIANT0.036 at VGS = 2.5 V 20 7.0Package with Low 1.07 mm Profile0.045 at VGS = 1.8 V 6.3APPLICATIONS

 9.1. Size:551K  vishay
 si7905dn.pdf

SI7904BDN SI7904BDN

Si7905DNVishay SiliconixDual P-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.060 at VGS = - 10 V - 6e Low Thermal Resistance PowerPAK- 40 11 nC0.089 at VGS = - 4.5V - 5fPackage with Small Size and Low 1.07 mm Profile 100 % Rg and

 9.2. Size:532K  vishay
 si7900aedn.pdf

SI7904BDN SI7904BDN

Si7900AEDNVishay SiliconixDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Common DrainFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFET: 1.8 V Rated0.026 at VGS = 4.5 V 8.5 New PowerPak Package RoHS0.030 at VGS = 2.5 V 20 8COMPLIANT- Low Thermal Resistance, RthJC0.036 at VGS = 1.8 V 7- Low 1.07 mm Profile

 9.3. Size:539K  vishay
 si7909dn.pdf

SI7904BDN SI7904BDN

Si7909DNVishay SiliconixDual P-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFETS: 1.8 V Rated0.037 at VGS = - 4.5 V - 7.7 New Low Thermal Resistance PowerPAK RoHSPackage COMPLIANT0.048 at VGS = - 2.5 V - 6.8- 12 Advanced High Cell Density Process0.068 at VGS = - 1.8

 9.4. Size:563K  vishay
 si7901edn.pdf

SI7904BDN SI7904BDN

Si7901EDNVishay SiliconixDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.048 at VGS = - 4.5 V - 6.3 TrenchFET Power MOSFETS: 1.8 V Rated ESD Protected: 4500 V0.068 at VGS = - 2.5 V - 20 - 5.3 Ultra Low Thermal Resistance PowerPAK0.090 at VGS = - 1.8 V - 4.6P

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top