Справочник MOSFET. SI7904BDN

 

SI7904BDN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI7904BDN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-1212-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7904BDN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:554K  vishay
si7904bdn.pdfpdf_icon

SI7904BDN

Si7904BDNVishay SiliconixDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.030 at VGS = 4.5 V 6 TrenchFET Power MOSFET0.036 at VGS = 2.5 V 20 69 nCAPPLICATIONS0.045 at VGS = 1.8 V 6 HDD Spindle DrivePowerPAK 1212-8S1 3.30 mm 3.30 mm 1 D1 D2G

 6.1. Size:553K  vishay
si7904bd.pdfpdf_icon

SI7904BDN

Si7904BDNVishay SiliconixDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.030 at VGS = 4.5 V 6 TrenchFET Power MOSFET0.036 at VGS = 2.5 V 20 69 nCAPPLICATIONS0.045 at VGS = 1.8 V 6 HDD Spindle DrivePowerPAK 1212-8S1 3.30 mm 3.30 mm 1 D1 D2G

 8.1. Size:534K  vishay
si7904dn.pdfpdf_icon

SI7904BDN

Si7904DNVishay SiliconixDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFETS: 1.8 V Rated0.030 at VGS = 4.5 V 7.7 New Low Thermal Resistance PowerPAK RoHSCOMPLIANT0.036 at VGS = 2.5 V 20 7.0Package with Low 1.07 mm Profile0.045 at VGS = 1.8 V 6.3APPLICATIONS

 9.1. Size:551K  vishay
si7905dn.pdfpdf_icon

SI7904BDN

Si7905DNVishay SiliconixDual P-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.060 at VGS = - 10 V - 6e Low Thermal Resistance PowerPAK- 40 11 nC0.089 at VGS = - 4.5V - 5fPackage with Small Size and Low 1.07 mm Profile 100 % Rg and

Другие MOSFET... SI7866ADP , SI7868ADP , SI7880ADP , SI7882DP , SI7884BDP , SI7886ADP , SI7888DP , SI7892BDP , AON6380 , SI7905DN , SI7911DN , SI7913DN , SI7922DN , SI7923DN , SI7938DP , SI7942DP , SI7945DP .

History: STP5NK50Z | UPA1770 | IXTH10N60 | TSM4946DCS | RU1HL8L | KRF7703 | MSS5P05D

 

 
Back to Top

 


 
.