SI7949DP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI7949DP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.064 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-SO-8

Аналог (замена) для SI7949DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7949DP даташит

 ..1. Size:468K  vishay
si7949dp.pdfpdf_icon

SI7949DP

 9.1. Size:504K  vishay
si7942dp.pdfpdf_icon

SI7949DP

 9.2. Size:499K  vishay
si7945dp.pdfpdf_icon

SI7949DP

 9.3. Size:72K  vishay
si7941dp.pdfpdf_icon

SI7949DP

Другие IGBT... SI7913DN, SI7922DN, SI7923DN, SI7938DP, SI7942DP, SI7945DP, SI7946ADP, SI7946DP, IRFB31N20D, SI7956DP, SI7960DP, SI7980DP, SI7994DP, SI7997DP, SI7998DP, SI8100DB, SI8401DB