SI7998DP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI7998DP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0093 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-SO-8

Аналог (замена) для SI7998DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7998DP даташит

 ..1. Size:509K  vishay
 si7998dp.pdf pdf_icon

SI7998DP

 9.1. Size:479K  vishay
 si7997dp.pdf pdf_icon

SI7998DP

 9.2. Size:511K  vishay
 si7994dp.pdf pdf_icon

SI7998DP

Другие IGBT... SI7946ADP, SI7946DP, SI7949DP, SI7956DP, SI7960DP, SI7980DP, SI7994DP, SI7997DP, IRF830, SI8100DB, SI8401DB, SI8402DB, SI8404DB, SI8405DB, SI8406DB, SI8407DB, SI8409DB