SI8406DB - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

SI8406DB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI8406DB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.77 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 146 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm

Тип корпуса: MICRO-FOOT

Аналог (замена) для SI8406DB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:145K vishay
si8406db.pdf pdf_icon

9.1. Size:199K vishay
si8401db.pdf pdf_icon

9.2. Size:214K vishay
si8409db.pdf pdf_icon

9.3. Size:199K vishay
si8405db.pdf pdf_icon