SI8407DB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI8407DB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.47 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm

Тип корпуса: MICRO-FOOT

Аналог (замена) для SI8407DB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI8407DB даташит

 ..1. Size:201K  vishay
 si8407db.pdf pdf_icon

SI8407DB

 9.1. Size:199K  vishay
 si8401db.pdf pdf_icon

SI8407DB

 9.2. Size:214K  vishay
 si8409db.pdf pdf_icon

SI8407DB

 9.3. Size:199K  vishay
 si8405db.pdf pdf_icon

SI8407DB

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SI7997DP, SI7998DP, SI8100DB, SI8401DB, SI8402DB, SI8404DB, SI8405DB, SI8406DB, RU7088R, SI8409DB, SI8410DB, SI8413DB, SI8415DB, SI8416DB, SI8417DB, SI8424CDB, SI8424DB