Справочник MOSFET. SI8407DB

 

SI8407DB MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI8407DB
   Маркировка: 8407
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.47 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: MICRO-FOOT

 Аналог (замена) для SI8407DB

 

 

SI8407DB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  vishay
si8407db.pdf

SI8407DB
SI8407DB

 9.1. Size:199K  vishay
si8401db.pdf

SI8407DB
SI8407DB

 9.2. Size:214K  vishay
si8409db.pdf

SI8407DB
SI8407DB

 9.3. Size:199K  vishay
si8405db.pdf

SI8407DB
SI8407DB

 9.4. Size:145K  vishay
si8406db.pdf

SI8407DB
SI8407DB

 9.5. Size:213K  vishay
si8402db.pdf

SI8407DB
SI8407DB

 9.6. Size:337K  vishay
si8404db.pdf

SI8407DB
SI8407DB

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top