IRFS450A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFS450A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 121 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 295 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO3PF

Аналог (замена) для IRFS450A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS450A даташит

 ..1. Size:233K  1
 irfs450a.pdf pdf_icon

IRFS450A

IRFS450A FEATURES BVDSS = 500 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.4 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 9.6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3PF Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 500V Lower RDS(ON) 0.308 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characte

 ..2. Size:238K  inchange semiconductor
 irfs450a.pdf pdf_icon

IRFS450A

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFS450A FEATURES Avalanche Rugged Technology Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose appl

 7.1. Size:187K  1
 irfs450.pdf pdf_icon

IRFS450A

 7.2. Size:275K  1
 irfs450 irfs451.pdf pdf_icon

IRFS450A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFS432, IRFS433, IRFS440, IRFS440A, IRFS441, IRFS442, IRFS443, IRFS450, AON6414A, IRFS451, IRFS452, IRFS453, IRFS510A, IRFS520, IRFS520A, IRFS521, IRFS522