SI8424DB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI8424DB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 8 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 5 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 610 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm

Тип корпуса: MICRO-FOOT

Аналог (замена) для SI8424DB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI8424DB даташит

 ..1. Size:327K  vishay
si8424db.pdfpdf_icon

SI8424DB

 8.1. Size:238K  vishay
si8424cdb.pdfpdf_icon

SI8424DB

 9.1. Size:100K  vishay
si8422db.pdfpdf_icon

SI8424DB

 9.2. Size:201K  vishay
si8429db.pdfpdf_icon

SI8424DB

Другие IGBT... SI8407DB, SI8409DB, SI8410DB, SI8413DB, SI8415DB, SI8416DB, SI8417DB, SI8424CDB, IRFZ44N, SI8425DB, SI8429DB, SI8435DB, SI8439DB, SI8441DB, SI8445DB, SI8447DB, SI8451DB