SI8447DB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI8447DB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.77 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: MICRO-FOOT

Аналог (замена) для SI8447DB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI8447DB даташит

 ..1. Size:117K  vishay
 si8447db.pdf pdf_icon

SI8447DB

 9.1. Size:111K  vishay
 si8441db.pdf pdf_icon

SI8447DB

 9.2. Size:102K  vishay
 si8445db.pdf pdf_icon

SI8447DB

Другие IGBT... SI8424CDB, SI8424DB, SI8425DB, SI8429DB, SI8435DB, SI8439DB, SI8441DB, SI8445DB, 50N06, SI8451DB, SI8457DB, SI8461DB, SI8465DB, SI8466EDB, SI8467DB, SI8469DB, SI8472DB