SI8473EDB MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SI8473EDB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm
   Тип корпуса: MICRO-FOOT

Другие MOSFET... SI8451DB , SI8457DB , SI8461DB , SI8465DB , SI8466EDB , SI8467DB , SI8469DB , SI8472DB , IRFP260N , SI8475EDB , SI8483DB , SI8487DB , SI8489EDB , SI8497DB , SI8499DB , SI8800EDB , SI8802DB .