SI8483DB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI8483DB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.77 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: MICRO-FOOT

Аналог (замена) для SI8483DB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI8483DB даташит

 ..1. Size:129K  vishay
 si8483db.pdf pdf_icon

SI8483DB

 9.1. Size:136K  vishay
 si8489edb.pdf pdf_icon

SI8483DB

 9.2. Size:237K  vishay
 si8487db.pdf pdf_icon

SI8483DB

Другие IGBT... SI8461DB, SI8465DB, SI8466EDB, SI8467DB, SI8469DB, SI8472DB, SI8473EDB, SI8475EDB, IRF3710, SI8487DB, SI8489EDB, SI8497DB, SI8499DB, SI8800EDB, SI8802DB, SI8805EDB, SI8806DB