SI8483DB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SI8483DB
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.77 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
Тип корпуса: MICRO-FOOT
- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SI8483DB Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... SI8461DB , SI8465DB , SI8466EDB , SI8467DB , SI8469DB , SI8472DB , SI8473EDB , SI8475EDB , P55NF06 , SI8487DB , SI8489EDB , SI8497DB , SI8499DB , SI8800EDB , SI8802DB , SI8805EDB , SI8806DB .
History: SML5050AN | AK8N60S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ080P03A | JMTQ075N03D | JMTQ062N04A | JMTQ055N04A | JMTQ050N02A | JMTQ040N03A | JMTQ025N02A | JMTP11DN10A | JMTP110N06D | JMTP110N06A | JMTP085P02A | JMTP080P03A | JMTP080N04D | JMTP080N04A | JMTP075N06A | JMTP045N03A
Popular searches
6426 mosfet | b1565 | nce82h140 | 2n2369 equivalent | 2sd313 datasheet | k8a50d datasheet | 2sc381 | datasheet mosfet