Справочник MOSFET. SI8808DB

 

SI8808DB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI8808DB
   Маркировка: AI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: MICRO-FOOT
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI8808DB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:143K  vishay
si8808db.pdfpdf_icon

SI8808DB

 9.1. Size:139K  vishay
si8805edb.pdfpdf_icon

SI8808DB

 9.2. Size:222K  vishay
si8806db.pdfpdf_icon

SI8808DB

 9.3. Size:121K  vishay
si8800ed.pdfpdf_icon

SI8808DB

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: AO4440

 

 
Back to Top

 


 
.