IRFS453. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFS453

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 450 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для IRFS453

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS453 даташит

 8.1. Size:187K  1
 irfs450.pdf pdf_icon

IRFS453

 8.2. Size:233K  1
 irfs450a.pdf pdf_icon

IRFS453

IRFS450A FEATURES BVDSS = 500 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.4 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 9.6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3PF Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 500V Lower RDS(ON) 0.308 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characte

 8.3. Size:275K  1
 irfs450 irfs451.pdf pdf_icon

IRFS453

 8.4. Size:256K  international rectifier
 irfs4510pbf irfsl4510pbf.pdf pdf_icon

IRFS453

PD - 97771 IRFS4510PbF IRFSL4510PbF HEXFET Power MOSFET D Applications VDSS 100V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 11.3m l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching G max. 13.9m l Hard Switched and High Frequency Circuits ID (Silicon Limited) 61A S Benefits D l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt D Ruggedness l

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFS440A, IRFS441, IRFS442, IRFS443, IRFS450, IRFS450A, IRFS451, IRFS452, P55NF06, IRFS510A, IRFS520, IRFS520A, IRFS521, IRFS522, IRFS523, IRFS530, IRFS530A