Справочник MOSFET. SI8822

 

SI8822 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI8822
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 164 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8
 

 Аналог (замена) для SI8822

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI8822 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:153K  vishay
 si8822.pdf pdf_icon

SI8822

 9.1. Size:134K  vishay
 si8821edb.pdf pdf_icon

SI8822

 9.2. Size:142K  vishay
 si8823edb.pdf pdf_icon

SI8822

Si8823EDBwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESMICRO FOOT 0.8 x 0.8S TrenchFET Gen III p-channel power MOSFET22SS Compact 0.8 mm x 0.8 mm outline area33 Low 0.4 mm max. profile RDS(on) rating at VGS = -1.5 V Typical ESD protection: 1900 V HBM11GG Material categorization: for definitions of compliance 4

 9.3. Size:155K  vishay
 si8824edb.pdf pdf_icon

SI8822

Si8824EDBwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) a Qg (TYP.) Ultra small 0.8 mm x 0.8 mm outline0.075 at VGS = 4.5 V 2.9 Ultra thin 0.357 mm height0.082 at VGS = 2.5 V 2.7 Typical ESD protection 2000 V (HBM)20 0.090 at VGS = 1.8 V 2.6 2.7 nC Material categ

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI8809EDB , SI8810 , SI8810EDB , SI8812DB , SI8816EDB , SI8817DB , SI8819EDB , SI8821EDB , AO3400 , SI8851EDB , SI9407BDY , SI9410BDY , SI9424BDY , SI9424DY , SI9433BDY , SI9434BDY , SI9926CDY .

History: AM30N03-40D | CJ3415 | AOC3860 | LSE65R380GF | AP25N170I | SFF25P20S2I-02 | SPP77N05

 

 
Back to Top

 


 
.