Справочник MOSFET. SI8822

 

SI8822 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI8822
   Маркировка: 8822
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 164 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8

 Аналог (замена) для SI8822

 

 

SI8822 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:153K  vishay
 si8822.pdf

SI8822 SI8822

 9.1. Size:134K  vishay
 si8821edb.pdf

SI8822 SI8822

 9.2. Size:142K  vishay
 si8823edb.pdf

SI8822 SI8822

Si8823EDBwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESMICRO FOOT 0.8 x 0.8S TrenchFET Gen III p-channel power MOSFET22SS Compact 0.8 mm x 0.8 mm outline area33 Low 0.4 mm max. profile RDS(on) rating at VGS = -1.5 V Typical ESD protection: 1900 V HBM11GG Material categorization: for definitions of compliance 4

 9.3. Size:155K  vishay
 si8824edb.pdf

SI8822 SI8822

Si8824EDBwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) a Qg (TYP.) Ultra small 0.8 mm x 0.8 mm outline0.075 at VGS = 4.5 V 2.9 Ultra thin 0.357 mm height0.082 at VGS = 2.5 V 2.7 Typical ESD protection 2000 V (HBM)20 0.090 at VGS = 1.8 V 2.6 2.7 nC Material categ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top