SI8822 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SI8822
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 164 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
Тип корпуса: TSSOP-8
Аналог (замена) для SI8822
SI8822 Datasheet (PDF)
si8823edb.pdf

Si8823EDBwww.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESMICRO FOOT 0.8 x 0.8S TrenchFET Gen III p-channel power MOSFET22SS Compact 0.8 mm x 0.8 mm outline area33 Low 0.4 mm max. profile RDS(on) rating at VGS = -1.5 V Typical ESD protection: 1900 V HBM11GG Material categorization: for definitions of compliance 4
si8824edb.pdf

Si8824EDBwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) () MAX. ID (A) a Qg (TYP.) Ultra small 0.8 mm x 0.8 mm outline0.075 at VGS = 4.5 V 2.9 Ultra thin 0.357 mm height0.082 at VGS = 2.5 V 2.7 Typical ESD protection 2000 V (HBM)20 0.090 at VGS = 1.8 V 2.6 2.7 nC Material categ
Другие MOSFET... SI8809EDB , SI8810 , SI8810EDB , SI8812DB , SI8816EDB , SI8817DB , SI8819EDB , SI8821EDB , AO3400 , SI8851EDB , SI9407BDY , SI9410BDY , SI9424BDY , SI9424DY , SI9433BDY , SI9434BDY , SI9926CDY .
History: SPI15N65C3 | IRF7807D2PBF
History: SPI15N65C3 | IRF7807D2PBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTE6888A | JMTE3003A | JMTE3002B | JMTE068N07A | JMTE060N06A | JMTE035N06D | JMTE035N04A | JMTE025N04D | JMTE018N03A | JMTD3134K | JMTD2N7002KS | JMSL1509PG | JMSL10A13P | JMSL10A13L | JMSL10A13K | JMSL1010PU
Popular searches
s9015 transistor | irf540z | ss8550 transistor | irfp240 mosfet | tip141 | 2n404 | 2n4250 | d882 transistor equivalent