Справочник MOSFET. JCS5N50VT

 

JCS5N50VT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: JCS5N50VT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 91 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   trⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 83 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: IPAK

 Аналог (замена) для JCS5N50VT

 

 

JCS5N50VT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2112K  jilin sino
 jcs5n50vt jcs5n50rt jcs5n50ct jcs5n50ft.pdf

JCS5N50VT JCS5N50VT

N RN-CHANNEL MOSFET JCS5N50T Package MAIN CHARACTERISTICS 5 A ID 500 V VDSS Rdson-max 1.6 @Vgs=10V 15 nC Qg-typ APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge

 6.1. Size:2342K  jilin sino
 jcs5n50vc jcs5n50rc jcs5n50cc jcs5n50fc.pdf

JCS5N50VT JCS5N50VT

N RN-CHANNEL MOSFET JCS5N50C Package MAIN CHARACTERISTICS 5 A ID 500 V VDSS RdsonVgs=10V 1.45 14nC Qg APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS FEATURES

 7.1. Size:1627K  jilin sino
 jcs5n50.pdf

JCS5N50VT JCS5N50VT

N lSX:_W:WHe^vfSO{RN-CHANNEL MOSFETJCS5N50T \ Package ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS ID 5 A VDSS 500 V Rdson@Vgs=10V 1.6&! Qg 15 nC APPLICATIONS (u High efficiency switch _sQ5un

 9.1. Size:897K  jilin sino
 jcs5n60v jcs5n60r jcs5n60c jcs5n60f.pdf

JCS5N50VT JCS5N50VT

N RN-CHANNEL MOSFET JCS5N60C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 4.0 A VDSS 600 V RdsonVgs=10V 2.5 Qg 9nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply FEATURES

 9.2. Size:976K  jilin sino
 jcs5n60vb jcs5n60rb jcs5n60cb jcs5n60fb.pdf

JCS5N50VT JCS5N50VT

N RN-CHANNEL MOSFET JCS5N60B Package MAIN CHARACTERISTICS ID 5.0 A VDSS 600 V 2.4 RdsonVgs=10VQg 13.3nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED power su

 9.3. Size:581K  jilin sino
 jcs5n65fb.pdf

JCS5N50VT JCS5N50VT

N RN-CHANNEL MOSFET JCS5N65FB MAIN CHARACTERISTICS ID 4.0 A VDSS 650 V Rdson-max 2.4 @Vgs=10V Qg-typ 13.3nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast UPS UPS FEATURES

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IXTQ30N60L2

 

 
Back to Top