JCS5N50VT - описание и поиск аналогов

 

JCS5N50VT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: JCS5N50VT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 91 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 83 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для JCS5N50VT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS5N50VT даташит

 ..1. Size:2112K  jilin sino
 jcs5n50vt jcs5n50rt jcs5n50ct jcs5n50ft.pdf pdf_icon

JCS5N50VT

N R N-CHANNEL MOSFET JCS5N50T Package MAIN CHARACTERISTICS 5 A ID 500 V VDSS Rdson-max 1.6 @Vgs=10V 15 nC Qg-typ APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge

 6.1. Size:2342K  jilin sino
 jcs5n50vc jcs5n50rc jcs5n50cc jcs5n50fc.pdf pdf_icon

JCS5N50VT

N R N-CHANNEL MOSFET JCS5N50C Package MAIN CHARACTERISTICS 5 A ID 500 V VDSS Rdson Vgs=10V 1.45 14nC Qg APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS FEATURES

 7.1. Size:1627K  jilin sino
 jcs5n50.pdf pdf_icon

JCS5N50VT

 9.1. Size:897K  jilin sino
 jcs5n60v jcs5n60r jcs5n60c jcs5n60f.pdf pdf_icon

JCS5N50VT

N R N-CHANNEL MOSFET JCS5N60C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 4.0 A VDSS 600 V Rdson Vgs=10V 2.5 Qg 9nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply FEATURES

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI9424BDY , SI9424DY , SI9433BDY , SI9434BDY , SI9926CDY , SI9933CDY , SI9934BDY , SI9945BDY , IRFB3607 , JCS5N50RT , JCS5N50CT , JCS5N50FT , JCS7N65CB , JCS7N65FB , MDF13N65B , AOD452A , APM2030N .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.