IRFS520. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFS520

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 23 max nC

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для IRFS520

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS520 даташит

 ..1. Size:277K  samsung
 irfs520 irfs521.pdf pdf_icon

IRFS520

 0.1. Size:504K  samsung
 irfs520a.pdf pdf_icon

IRFS520

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 100 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 7.2 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) 0.155 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximu

 8.1. Size:325K  international rectifier
 irfb52n15dpbf irfs52n15dpbf.pdf pdf_icon

IRFS520

PD - 97002A IRFB52N15DPbF IRFS52N15DPbF IRFSL52N15DPbF Applications HEXFET Power MOSFET l High frequency DC-DC converters Key Parameters l Plasma Display Panel VDS 150 V VDS (Avalanche) min. 200 V Benefits RDS(ON) max @ 10V 32 m l Low Gate-to-Drain Charge to TJ max Reduce Switching Losses 175 C l Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design

 8.2. Size:325K  international rectifier
 irfb52n15dpbf irfs52n15dpbf irfsl52n15dpbf.pdf pdf_icon

IRFS520

PD - 97002A IRFB52N15DPbF IRFS52N15DPbF IRFSL52N15DPbF Applications HEXFET Power MOSFET l High frequency DC-DC converters Key Parameters l Plasma Display Panel VDS 150 V VDS (Avalanche) min. 200 V Benefits RDS(ON) max @ 10V 32 m l Low Gate-to-Drain Charge to TJ max Reduce Switching Losses 175 C l Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFS442, IRFS443, IRFS450, IRFS450A, IRFS451, IRFS452, IRFS453, IRFS510A, 7N65, IRFS520A, IRFS521, IRFS522, IRFS523, IRFS530, IRFS530A, IRFS531, IRFS532