Справочник MOSFET. JCS7N65CB

 

JCS7N65CB MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: JCS7N65CB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 25 nC
   trⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-220C

 Аналог (замена) для JCS7N65CB

 

 

JCS7N65CB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:757K  jilin sino
jcs7n65bb jcs7n65sb jcs7n65cb jcs7n65fb.pdf

JCS7N65CB
JCS7N65CB

N RN-CHANNEL MOSFET JCS7N65B MAIN CHARACTERISTICS ID 7.0 A VDSS 650 V Package Rdson-max 1.3 (@Vgs=10V Qg-typ 25 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

 6.1. Size:2018K  jilin sino
jcs7n65ve jcs7n65re jcs7n65ce jcs7n65se jcs7n65be jcs7n65fe.pdf

JCS7N65CB
JCS7N65CB

N RN-CHANNEL MOSFET JCS7N65E MAIN CHARACTERISTICS Package ID 7.0 A VDSS 650 V Rdson-max1.1 @Vgs=10V Qg-typ 23 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

 7.1. Size:600K  jilin sino
jcs7n65.pdf

JCS7N65CB
JCS7N65CB

N lSX:_W:WHe^vfSO{RN-CHANNEL MOSFETJCS7N65B ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS \ Package ID 7.0 A 650 V VDSS 1.3 &! Rdson@Vgs=10V25 nC Qg APPLICATIONS (u High efficiency switch

 8.1. Size:755K  jilin sino
jcs7n60s jcs7n60b jcs7n60c jcs7n60f.pdf

JCS7N65CB
JCS7N65CB

N lSX:_W:WHe^vfSO{RN-CHANNEL MOSFETJCS7N60 \ Package ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS ID 7.0 A 600 V VDSS 1.2 &! Rdson@Vgs=10V54 nC Qg APPLICATIONS (u High efficiency switch

 8.2. Size:904K  jilin sino
jcs7n60bb jcs7n60sb jcs7n60cb jcs7n60fb.pdf

JCS7N65CB
JCS7N65CB

N RN-CHANNEL MOSFET JCS7N60B MAIN CHARACTERISTICS Package ID 7.0 A VDSS 600 V Rdson-max 1.2 @Vgs=10V Qg-typ 25 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge L

 8.3. Size:1774K  jilin sino
jcs7n60v jcs7n60r jcs7n60f jcs7n60c jcs7n60b jcs7n60s.pdf

JCS7N65CB
JCS7N65CB

N RN-CHANNEL MOSFET JCS7N60E MAIN CHARACTERISTICS Package ID 7.0 A VDSS 600 V Rdson-max1.0 @Vgs=10V Qg-typ 23 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top