HY1906P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HY1906P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 876 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: TO-220FB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HY1906P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HY1906P даташит

 ..1. Size:2269K  hymexa
hy1906p hy1906b.pdfpdf_icon

HY1906P

HY1906P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description / , 60V 120 A 6.0 (typ.) @ VGS=10V RDS(ON)= m Avalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available S D G (RoHS Compliant) S D G TO-263-2L TO-263-2L TO-220FB-3L TO-220FB-3L Applications D Power Management for Inverter Systems. G N-Channel MOSFET S Ordering and Marking

 8.1. Size:712K  1
hy1906c2.pdfpdf_icon

HY1906P

HY1906C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 60V/70A D D D D D D D D RDS(ON)= 5.7 m (typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available S S S G G S S S Pin1 PPAK5*6-8L Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Power Tool Application Networking DC-DC Powe

 9.1. Size:1085K  1
hy1904c2.pdfpdf_icon

HY1906P

HY1904C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 40V/65A RDS(ON)= 5.1m (typ.)@VGS = 10V D D D D D D D D RDS(ON)= 6.2m (typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available S S S G G S S S Pin1 PPAK5*6-8L Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Powe

 9.2. Size:1637K  hymexa
hy1904d hy1904u hy1904v.pdfpdf_icon

HY1906P

HY1904D/U/V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 40V/72A RDS(ON)= 4.8m (typ.)@VGS = 10V RDS(ON)= 5.8m (typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3S Applications Power Management for Inverter Systems N-Channel MOSFET

Другие IGBT... JCS5N50FT, JCS7N65CB, JCS7N65FB, MDF13N65B, AOD452A, APM2030N, CEP603AL, CEB603AL, IRFP250, HY1906B, IRFP640, MMD70R900P, N6004NZ, PHP45N03LTA, PHB45N03LTA, PHD45N03LTA, RU190N08