HY1906P datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: HY1906P 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 876 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
Тип корпуса: TO-220FB
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для HY1906P
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
HY1906P даташит
hy1906p hy1906b.pdf
HY1906P/B N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description / , 60V 120 A 6.0 (typ.) @ VGS=10V RDS(ON)= m Avalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available S D G (RoHS Compliant) S D G TO-263-2L TO-263-2L TO-220FB-3L TO-220FB-3L Applications D Power Management for Inverter Systems. G N-Channel MOSFET S Ordering and Marking
hy1906c2.pdf
HY1906C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description 60V/70A D D D D D D D D RDS(ON)= 5.7 m (typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available S S S G G S S S Pin1 PPAK5*6-8L Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Power Tool Application Networking DC-DC Powe
hy1904c2.pdf
HY1904C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 40V/65A RDS(ON)= 5.1m (typ.)@VGS = 10V D D D D D D D D RDS(ON)= 6.2m (typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available S S S G G S S S Pin1 PPAK5*6-8L Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Powe
hy1904d hy1904u hy1904v.pdf
HY1904D/U/V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 40V/72A RDS(ON)= 4.8m (typ.)@VGS = 10V RDS(ON)= 5.8m (typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3S Applications Power Management for Inverter Systems N-Channel MOSFET
Другие IGBT... JCS5N50FT, JCS7N65CB, JCS7N65FB, MDF13N65B, AOD452A, APM2030N, CEP603AL, CEB603AL, IRFP250, HY1906B, IRFP640, MMD70R900P, N6004NZ, PHP45N03LTA, PHB45N03LTA, PHD45N03LTA, RU190N08
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BC2301 | BC1012W | BC1012T | BC1012 | 2SK3019WT | 2SK3019W | 2SK3018WT | CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D
Popular searches
2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147 | 2sc870 | 2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210







