MDD1502RH - аналоги и даташиты транзистора

 

MDD1502RH - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MDD1502RH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 176 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MDD1502RH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDD1502RH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:661K  magnachip
 mdd1502rh.pdf pdf_icon

MDD1502RH

MDD1502 Single N-channel Trench MOSFET 30V, 45.7A, 8.5mGeneral Description Features The MDD1502 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 30V DSTechnology, which provides high performance in on-state I = 45.7A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) (MAX)quality. MDD1502 is suitable device for DC to DC

 8.1. Size:672K  magnachip
 mdd1501rh.pdf pdf_icon

MDD1502RH

MDD1501 Single N-channel Trench MOSFET 30V, 67.4A, 5.6mGeneral Description Features The MDD1501 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 30V DSTechnology, which provides high performance in on-state I = 67.4A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) (MAX)quality. MDD1501 is suitable device for DC to DC

 8.2. Size:661K  magnachip
 mdd1504rh.pdf pdf_icon

MDD1502RH

MDD1504 Single N-channel Trench MOSFET 30V, 31.5A, 12.7m Features General Description The MDD1504 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 30V DSTechnology, which provides high performance in on-state I = 31.5A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) (MAX)quality. MDD1504 is suitable device for DC to DC

 8.3. Size:656K  magnachip
 mdd1503rh.pdf pdf_icon

MDD1502RH

MDD1503 Single N-channel Trench MOSFET 30V, 87.5A, 4.7m Features General Description The MDD1503 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 30V DSTechnology, which provides high performance in on-state I = 87.5A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) (MAX)quality. MDD1503 is suitable device for DC to DC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... RU190N08R , RU190N08S , MDA0531EURH , MDC0531EURH , MDCA0418EURH , MDD1051RH , MDD14N25CRH , MDD1501RH , IRF520 , MDD1503RH , MDD1504RH , MDD1752RH , MDD1754RH , MDD1851RH , MDD1901RH , MDD1902RH , MDD1903RH .

 

 
Back to Top

 


 
.