MDD1902RH - описание и поиск аналогов

 

MDD1902RH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MDD1902RH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MDD1902RH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDD1902RH даташит

 ..1. Size:881K  magnachip
mdd1902rh.pdfpdf_icon

MDD1902RH

MDD1902 Single N-channel Trench MOSFET 100V, 40A, 28m General Description Features The MDD1902 uses advanced MagnaChip s MOSFET VDS = 100V Technology, which provides high performance in on-state I = 40A @V = 10V D GS resistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) quality. MDD1902 is suitable device for DC/DC

 ..2. Size:818K  cn vbsemi
mdd1902rh.pdfpdf_icon

MDD1902RH

MDD1902RH www.VBsemi.tw N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETS V(BR)DSS (V) rDS(on) ( )ID (A) Available 175 C Junction Temperature 0.030 at VGS = 10 V 40 RoHS* 100 Low Thermal Resistance Package 0.035 at VGS = 4.5 V 37 COMPLIANT D TO-252 G G D S Top View S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unle

 8.1. Size:802K  magnachip
mdd1903rh.pdfpdf_icon

MDD1902RH

MDD1903 Single N-channel Trench MOSFET 100V, 12.8A, 105m General Description Features The MDD1903 uses advanced MagnaChip s MOSFET V = 100V DS Technology, which provides high performance in on-state I = 12.8A @V = 10V D GS resistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) (MAX) quality. MDD1903 is suitable device for DC to DC

 8.2. Size:841K  magnachip
mdd1901rh.pdfpdf_icon

MDD1902RH

MDD1901 Single N-channel Trench MOSFET 100V, 40A, 22m General Description Features The MDD1901 uses advanced MagnaChip s MOSFET VDS = 100V Technology, which provides high performance in on-state I = 40A @V = 10V D GS resistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) quality. MDD1901 is suitable device for DC/DC

Другие MOSFET... MDD1501RH , MDD1502RH , MDD1503RH , MDD1504RH , MDD1752RH , MDD1754RH , MDD1851RH , MDD1901RH , IRFZ46N , MDD1903RH , MDD1904RH , MDD1951RH , MDD2N60RH , MDD3752ARH , MDD3752RH , MDD3754RH , MDD3N40RH .

History: CS20N60W

 

 

 

 

↑ Back to Top
.