MDD3754RH - описание и поиск аналогов

 

MDD3754RH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MDD3754RH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.043 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MDD3754RH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDD3754RH даташит

 ..1. Size:683K  magnachip
mdd3754rh.pdfpdf_icon

MDD3754RH

MDD3754 P-Channel Trench MOSFET, -40V, -24.4A, 43m Features General Description VDS = -40V The MDD3754 uses advanced MagnaChip s Trench I = -24.4A @V = -10V D GS MOSFET Technology to provided high performance in on- RDS(ON) state resistance, switching performance and reliability.

 8.1. Size:858K  magnachip
mdd3752arh.pdfpdf_icon

MDD3754RH

MDD3752A P-Channel Trench MOSFET, -40V, -43A, 17m Features General Description V = -40V DS The MDD3752A uses advanced MagnaChip s Trench I = -43A @V = -10V D GS MOSFET Technology to provided high performance in on- R DS(ON) state resistance, switching performance and reliability.

 8.2. Size:755K  magnachip
mdd3752rh.pdfpdf_icon

MDD3754RH

MDD3752 P-Channel Trench MOSFET, -40V, -43A, 17m Features General Description V = -40V DS The MDD3752 uses advanced MagnaChip s Trench I = -43A @V = -10V D GS MOSFET Technology to provided high performance in on- R DS(ON) state resistance, switching performance and reliability.

 8.3. Size:890K  cn vbsemi
mdd3752rh.pdfpdf_icon

MDD3754RH

MDD3752RH www.VBsemi.tw P-Channel 4 0 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) -40 Package with low thermal resistance RDS(on) ( ) at VGS = -10 V 0.012 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = -4.5 V 0.015 ID (A) -50 Configuration Single TO-252 S G D D G S P-Channel MOSFET Top View ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, un

Другие MOSFET... MDD1901RH , MDD1902RH , MDD1903RH , MDD1904RH , MDD1951RH , MDD2N60RH , MDD3752ARH , MDD3752RH , EMB04N03H , MDD3N40RH , MDD3N50GRH , MDD4N20YRH , MDD4N25RH , MDD4N60BRH , MDD5N40RH , MDD5N50FRH , MDD5N50RH .

History: FQP13N10L | KP750G | P0550EI | BLF6G38-10G | R6547ENZ1

 

 

 

 

↑ Back to Top
.